基于IGBT芯片疲劳机理的关断时间可靠性模型

摘要

基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片疲劳机理,提出采用关断时间对IGBT健康状态进行监控的可靠性评估方法.采用理论分析与解析描述相结合的方法,建立了IGBT关断电流下降时间模型,进而通过研究IGBT关断时间特征量疲劳机理,建立了IGBT关断时间可靠性评估模型.仿真和实验验证了该模型的正确性与准确性.通过该模型可对IGBT的健康状况进行准确评估.