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黄昌俊; 王启明;
中国科学院半导体研究所 集成光电国家重点联合实验室 北京 100083;
量子点; Si基光电子学; 自组装纳米结构;
机译:Si衬底上自组织Ge量子点的研究进展
机译:梯度Si_(1-x)Ge_x / Si衬底上自组装In As量子点封盖中V形缺陷的产生和抑制
机译:作为在GaAs / Ge / Si_xge_(1-x)/ Si衬底上生长的量子点自组装的IN_(0.22)GA_(0.78)
机译:硅(001)上自组装锗纳米结构生长初期的研究
机译:Si衬底上中红外直接带隙发射的应变工程GeSn / GeSiSn量子点设计
机译:通过UHV-CVD系统在Si衬底上生长的Ge自组装量子点
机译:Gaas上自组装的Insb和Gasb量子点(001);杂志文章
机译:激发区包括在Si衬底上生长的基质晶体中的纳米点(也称为“量子点”),该激发点由具有闪锌矿结构(也称为“立方”)的AlyInxGa1-y-xN晶体(y≥0,x> 0)制成。以及通过使用其获得的发光器件(LED和LD)
机译:由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译:有源区,包括在SI衬底上生长并由闪锌矿构成的纳米晶体中的纳米点(也称为“量子点”)
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