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吕广宏; 刘锋;
美国犹他大学材料科学与工程系 盐湖城 犹他 84112;
北京航空航天大学理学院 北京 100083;
Ge/Si量子点; 临界尺寸; 第一性原理; 连续体计算模型;
机译:使用超高密度半导体量子点形成技术成功堆叠300个量子点
机译:胶态PbSe量子点中与温度相关的带移的临界尺寸
机译:单量子点生长的衬底台面的临界尺寸
机译:在熨斗上长823 k形成磁铁矿尺度的空隙形成的定量预测
机译:单分散胶体半导体量子点的形成机制:纳米级成核和生长的研究
机译:用半导体量子点标记的马内皮细胞集落形成细胞的生长和功能
机译:用耦合到等离子体 - 半导体量子点系统的混合激子与等离子体 - 半导体量子点系统相互作用的单位等离子体的运输性能
机译:微波驱动的半导体量子点电荷量子点的相干操作(作者手稿)。
机译:半导体量子点元素,形成半导体量子点元素的方法以及使用半导体量子点元素的半导体激光
机译:量子点的形成,由此形成的量子点结构和半导体量子点激光
机译:确定微电子或微机械半导体芯片衬底上的横向结构化层的临界尺寸,涉及使用形成的测试标记来确定横向结构化层的临界尺寸。
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