临界尺寸

摘要： 裂隙岩体渗透性尺寸效应是岩体水力学研究中的一个热点问题.为探明岩体渗透性随试样尺寸的演变规律及其主控因素,从粗糙单裂隙入手,首先假定裂隙开度服从正态分布,并用COMSOL数值分析软件生成系列尺寸的粗糙单裂隙模型;然后通过求解Reynolds方程,开展变裂隙开度、粗糙度和法向应力条件下的系列尺寸单裂隙渗透数值模拟,并通过双曲线函数建立法向应力与裂隙开度之间的相关关系,间接模拟应力对单裂隙渗流的影响.数值模拟结果表明:粗糙单裂隙的渗透性存在明显的尺寸效应,其渗透系数先随试样尺寸的增加而增加,随后趋于稳定,模拟获得的临界尺寸介于12～ 15 m之间.通过进一步的参数敏感性分析揭示:临界尺寸与裂隙开度呈负相关关系,裂隙开度越大,渗透性临界尺寸越小,而与粗糙度和法向应力则呈正相关关系;并且相较于法向应力和裂隙粗糙度,裂隙开度对单裂隙渗透性临界尺寸的影响更显著.

摘要： 塔河油田针对含腐蚀穿孔型缺陷管道通常采取内衬修复技术,常用的内衬修复技术包括耐热聚烯烃管(HTPO)内穿插修复技术和承压连续软管修复技术。其中HTPO管体本身不承压,成本较低,而承压软管本身可以承压,成本相对较高,对于如何合理地选择内衬修复材料,现场并没有一个明确的答案。为此,通过将实际工程问题简化为物理模型,进而利用有限元软件建立相关模型,给出了HTPO内衬修复管道的临界缺陷尺寸的计算方法,并通过全尺寸水压爆破试验进行验证。经过验证的有限元模型可以准确地给出塔河油田常用管道在运行压力2.5MPa和4.0 MPa下采用HTPO内衬修复的临界缺陷尺寸,可为现场实际施工提供技术指导。

摘要： 针对非完全约束磁悬浮系统结构尺寸引起偏转方向约束改变的问题,提出了磁悬浮系统中临界尺寸的概念.以轴向磁悬浮轴承为研究对象,建立了非完全约束磁悬浮系统的一般模型,通过硅钢片切角的方法优化了磁悬浮轴承临界尺寸设计要求,通过仿真和试验研究了临界尺寸对偏转方向约束的影响.结果表明:临界尺寸是决定非完全约束磁悬浮轴承能否稳定悬浮的关键因素,需在设计时予以考量.

摘要： 中国科学家首次在实验上证实了水结冰过程中“临界冰核”的存在,并给出了“临界冰核”的尺寸和过冷温度的关系,从而证实了“经典成核理论”的预言。研究成果在国际知名学术期刊《自然》上发表。低温下水结冰的现象再常见不过,但微观层面上“水变冰”的具体过程却不为人所知。近百年前,科学家吉布斯等人基于热力学原理,提出相变的“经典成核理论”,认为如水结冰这类相变需经过一个成核过程,水过冷形成小冰核,仅当形成的冰核偶然超过临界尺寸(即“临界冰核”)时,相变才能自发发生。

摘要： 为了定量判定工业炸药的临界直径和临界厚度,自行研制了一种可连续测量爆轰波和冲击波速度的电阻丝探针,并以粉状铵油炸药(ANFO)为测试对象,设计了无约束锥形和半约束楔形两种装药形式,利用单发实验便可分别测得粉状ANFO炸药在两种约束条件下的爆速变化曲线,从而计算出相应的临界直径和临界厚度.结果表明:粉状ANFO炸药的临界直径随炸药密度的增大而增大;所测炸药在0.67 9·cm-3密度下无约束条件时的平均临界直径为16.75 mm,底部钢板约束时的平均临界厚度为7.06 mm,两者的比值为2.37.

摘要： 本文提出了测定Ⅱ型裂纹应力强度因子门槛值的新方法,使用测定的门槛值和有限元仿真获得的正常工况和极限工况下轮辋中的应力分布,运用断裂力学方法预测了铁路车轮发生辋裂的夹杂物临界尺寸.结果表明:正常工况下引起辋裂的夹杂物尺寸很大,而极限工况下则较小;发生辋裂的夹杂物在轮辋中位置越深,其尺寸越大;在夹杂物体积一定的情况下,球形夹杂物最容易引起辋裂,当裂纹面长短半轴之比为2时,引起车轮发生辋裂的可能性最低;当长短半轴之比大于2后,随着长轴尺寸的增加,夹杂物引起辋裂的可能性变小.

摘要： 通过对直挡边磨削砂轮临界尺寸数学模型的建立，为实现计算机辅助设计提供了方法和途径，从而避免了估算误差，减少在生产过程中进一步修正过程。公司现已将以上的数学模型编译成一段小程序作为CAPP软件中砂轮选择模块的一部分，从而把工程技术人员从繁重的计算解放出来，并能更加准确迅速选择砂轮。

摘要： 实验研究了低压条件下滴状冷凝时液滴生长特性。通过控制氧化和分子自组装相结合的方法,制备超疏水表面,实验观察了液滴在空气环境中和蒸汽环境中的接触角,发现蒸汽环境中的接触角比空气环境中的小,而压力对接触角没有显著影响.利用高速摄像仪记录冷凝过程中的液滴的生长周期和脱落尺寸,得到液滴的脱落半径随压力的降低而增大,生长周期也随之延长.利用文献模型分析了不同压力下直接冷凝长大液滴的生长速率,得到生长速率随压力的减小而减小,并随过冷度的减小而下降.同时利用软件处理实验图像得到不同压力下液滴的合并生长速率,发现在处理的液滴尺寸范围内不同压力下液滴的合并生长速率相同.根据滴状冷凝液滴分布的时间序列模型,分析了不同压力下液滴生长的临界尺寸,得到随着压力的降低,液滴生长方式的临界尺寸增大.

摘要： 本文对高频软磁铁氧体的功耗Ptot在晶粒尺寸减小到单畴晶粒结构时所发生的陡降,以及由中子退极化测量方法确定的单畴晶粒临界尺寸:MnZn铁氧体～4 μ m(3.8±0.7μm),NiZn铁氧体～3μm(D=2.8μm)时单畴晶粒占90％),MgZn铁氧体～3μm(2.9±0.2μm)等进行了综合报导.简要介绍了低功耗单畴晶粒MnZn、NiZn和MgMnZn铁氧体的制备方法.

摘要： 本文结合重钢的生产参数,对钢液中夹杂物上浮去除的临界尺寸进行了计算和理论分析.当钢液静止或具有向上运动速度时,夹杂物具有向上的运动速度,能上浮去除掉;当钢液向下运动时,夹杂物就可能不能上浮出去;夹杂物的粒径越大,则夹杂物颗粒在钢中所受的上浮力越大,其上浮速度也越大.在冶炼周期40min内,能上浮的夹杂物临界尺寸需要达到30um以上;通过颗粒之间的碰撞聚合、长大,然后再上浮去除,是精炼过程将钢中夹杂物控制在10um以内的主要方式.

摘要： 武器系统的革新加剧了火工器件向微型化、智能化、集成化及模块化等方向的转变.本文对近几年国内外研究者将三维直写技术应用于微小型火工品的研究方法及进展进行综述,指出目前已用作三维直写技术主体的含能材料多为PENT、RDX、LTNR、CL-20等,而含能油墨的配置还需根据含能材料化学性质的不同而选用不同的粘结剂和溶剂.此外,本文对不同含能油墨材料的爆轰、均一性、热稳定性和临界尺寸等性能予以对比分析,为后续的研究和应用提供参考数据.

摘要： 毛细力诱致的弹性结构往往会发生很多变形，称之为毛细弹性耦合现象。本文针对毛细弹性耦合现象中的毛细粘附问题进行了研究，回顾了本课题组最近几年的部分研究内容。这些内容包括微梁的小变形粘附、大变形粘附、多级结构粘附和微板的毛细粘附问题。综合运用最小势能原理、量纲分析和连续介质力学的手段，求解了上述结构毛细粘附时的临界尺寸，并进行了部分结构优化。这些研究对于设计和研发新型的微器件、微机电系统、微型传感器以及超疏水材料等将具有一定的参考价值。

摘要： 本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到一定尺寸时会产生诱生缺陷，我们将氧沉淀产生诱生缺陷的最大尺寸定义为临界尺寸。氧沉淀产生诱生缺陷的的临界尺寸会随着退火温度而改变。本文尝试对其影响氧沉淀诱生缺陷的机理做了解释。

摘要： 采用BS7910标准中的2B级断裂评定准则，以乐东海底管道铺设为例，介绍了焊接缺陷临界尺寸的求解方法。在考虑了AUT检测系统误差的基础上，得到了表面缺陷尺寸的可接受范围，为海底管道铺设过程中焊接缺陷的AUT检测提供依据，保障海底管道铺设工作安全、顺利地进行。

摘要： 作者建立了一个寿命预测概率模型来考察缺陷处于表面、亚表面等不同位置时材料的失效概率,得出了一些对工程具有一定指导意义的结论.

摘要： 说明一种在半导体装置中用于蚀刻方法的非共形、高选择性衬垫。一种方法包括在基板上形成膜堆叠；蚀刻膜堆叠以形成开口；在开口中沉积非共形衬垫；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；以及相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠以形成逻辑或存储器孔洞。非共形衬垫包括硼、碳或氮中的一者或多者。

摘要： 本发明提供一种临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置。该临界尺寸量测方法包括：接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声处理以产生一第一图像；对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二图像；对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表。本发明可快速地利用图像处理以去除临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的噪声，并标示电路布局中的各元件的物件轮廓，藉以分析出在半导体晶圆中的不同位置的临界尺寸。

摘要： 本发明提供一种在目标层上形成特征的方法。所述特征具有与用作掩模的抗蚀剂层的部分的临界尺寸相比减小三倍或四倍的临界尺寸。在目标层上沉积中间层，且在所述中间层上形成所述抗蚀剂层。在图案化所述抗蚀剂层之后，在所述抗蚀剂层的剩余部分的侧壁上形成第一间隔物，从而掩蔽所述中间层的部分。在所述中间层的所述部分的侧壁上形成第二间隔物。在移除所述中间层的所述部分之后，将所述第二间隔物用作掩模以在所述目标层上形成所述特征。本发明还揭示一种部分制造的集成电路装置。

摘要： 一种覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸(critical dimension)，包含四条彼此分离的第一条状物(bar)。此四条第一条状物定义一矩形，且每一第一条状物对应并平行矩形的每一边长。四条彼此分离的第二条状物位于矩形中，其中每一第二条状物对应并平行每一边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。

摘要： 本发明提供一种临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置。该临界尺寸量测方法包括：接收一半导体晶圆的一临界尺寸扫瞄电子显微镜图像；对该临界尺寸扫瞄电子显微镜图像进行一图像锐化处理及一图像去噪声处理以产生一第一图像；对该第一图像进行一边缘检测处理以产生一第二图像；对该第二图像进行一连通成分标示处理以产生一输出图像；以及依据该输出图像以计算该半导体晶圆的一临界尺寸信息表。本发明可快速地利用图像处理以去除临界尺寸扫瞄电子显微镜图像的噪声，并标示电路布局中的各元件的物件轮廓，藉以分析出在半导体晶圆中的不同位置的临界尺寸。

摘要： 本发明提供一种在目标层上形成特征的方法。所述特征具有与用作掩模的抗蚀剂层的部分的临界尺寸相比减小三倍或四倍的临界尺寸。在目标层上沉积中间层，且在所述中间层上形成所述抗蚀剂层。在图案化所述抗蚀剂层之后，在所述抗蚀剂层的剩余部分的侧壁上形成第一间隔物，从而掩蔽所述中间层的部分。在所述中间层的所述部分的侧壁上形成第二间隔物。在移除所述中间层的所述部分之后，将所述第二间隔物用作掩模以在所述目标层上形成所述特征。还揭示一种部分制造的集成电路装置。

摘要： 本发明涉及一种使用离子束制造扫描探针显微镜(SPM)的方法以及由其制造的纳米针探针，该离子束优选为聚焦的离子束。更具体而言，本发明涉及一种制造SPM纳米针探针的方法和由其制造的SPM纳米针探针，该探针能够容易地调整，以使附着于SPM纳米针探针尖端上的纳米针具有期望的指向，且该探针能够容易被准直，使附着于SPM纳米针探针尖端上的纳米针沿着期望的指向。而且，本发明涉及一种使用离子束制造临界尺寸SPM(CD－SPM)纳米针探针的方法和由其制造的CD－SPM，该探针能够精确地扫描纳米尺度的样品物体的侧壁，该离子束优选为聚焦的离子束。更具体而言，本发明涉及一种制造CD－SPM纳米针探针的方法和由其制造的CD－SPM纳米针探针，该探针能够通过将附着于SPM纳米针探针尖端上的纳米针末端的一部分向着并非附着于SPM纳米针探针尖端上的纳米针所延伸出去的初始方向的特定方向弯曲特定角度，来精确地扫描纳米尺度的样品物体的侧壁。一种使用离子束制造扫描探针显微镜(SPM)纳米针探针的方法，包括：定位所述探针，使得其上附着有所述纳米针的所述探针的尖端面向辐照所述离子束的方向；以及通过向其上附着有所述纳米针的所述探针的尖端辐照所述离子束利用所述离子束平行地排列附着于所述探针的所述尖端上的所述纳米针。一种使用离子束制造临界尺寸扫描探针显微镜(CD－SPM)纳米针探针的方法，包括：使用掩模屏蔽附着于所述探针的尖端上的所述纳米针的特定部分；以及通过在暴露于所述掩模之外的所述纳米针的部分上辐照所述离子束来沿着所述辐照的离子束的方向弯曲暴露于所述掩模之外的所述纳米针的所述部分，以排列所述纳米针的所述部分。

摘要： 一种制造亚临界尺寸的稳定原子簇的方法，其中蒸气云发生快速膨胀和快速冷却，其中控制蒸气条件或参数使得多个稳定簇被冷凝，每个所述簇的尺寸小于临界尺寸并由亚临界成核形成。

摘要： 本发明揭示用于确定临界尺寸CD测量或检验的位置的系统及方法。可执行基于临界尺寸变化的潜在影响实时选择进行临界尺寸测量的位置。还可使用半导体装置的设计以预测可受临界尺寸变化影响的位置。基于可包含排名或临界性的有序位置列表，可在选定位置处测量临界尺寸。结果可用于细化临界尺寸位置预测模型。

摘要： 一种覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸(critical dimension)，包含四条彼此分离的第一条状物(bar)。此四条第一条状物定义一矩形，且每一第一条状物对应并平行矩形的每一边长。四条彼此分离的第二条状物位于矩形中，其中每一第二条状物对应并平行每一边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。