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袁悦; 王汉卿; 王诗维; 程龙; 张鹏; 曹兴忠; 金硕; 吕广宏;
北京航空航天大学物理学院;
中国科学院高能物理研究所多学科研究中心;
正电子湮没技术; γ光子; 多普勒展宽谱; 空位型缺陷; 深度分布;
机译:正电子湮没研究N〜+植入诱导的空位型缺陷及其在Si:6h-SiC中的恢复
机译:正电子湮没光谱研究他植入多晶α-SiC的空位型缺陷
机译:ER〜(3+)ZnO诱导点缺陷和Li〜+ / Na〜+ / k〜+对ZnO的空位缺陷的影响:ER通过正电子湮没光谱研究
机译:通过正电子湮没光谱研究Mg植入GaN中空位型缺陷的控制
机译:正电子湮没光谱技术的新开发:从实验设置到高级加工软件
机译:NaFeO2多晶型物作为钠离子电池阴极材料的缺陷化学钠扩散和掺杂行为:计算研究
机译:在Al-Mg-Si合金中在50和100°C时老化的空位行为,通过正电子湮没光谱学研究过量的Si
机译:正电子湮没研究陶瓷和薄膜pb(Zr,Ti)O3材料中的空位相关缺陷
机译:扁平型等离子诊断设备件型等离子诊断设备,配备平面等离子诊断设备静电卡盘嵌入平面等离子体诊断系统中。 本研究是一种材料创新计划(NRF)材料创新计划(1711120490 / 2020M34A3106004),由科学和技术信息和通信部门提供支持。委托为51%)韩国国家科技研究协会(NST)研发 同盟计划(1711062007 / CAP-17-02-NFRI-01)由Kriss支持。
机译:绝缘体上硅结构的器件层具有空位占主导并且基本上没有聚集的空位型缺陷
机译:珀耳帖效应热电转换器用作热泵,特别是在用于研究微重力下的临界流体行为的恒温器中,并且包括交替的p型和n型半导体材料元素
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