磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜

摘要

以氮气为反应气体,采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜.通过XRD测试发现,靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向:大的靶基距及高的溅射气压利于(100)面择优取向,小的靶基距和低的溅射气压利于(002)面择优取向.通过对沉积速率的分析发现,高的沉积速率利于(002)面择优取向,低的沉积速率利于(100)面择优取向.研究结果表明:沉积速率影响了核在衬底表面的生长方向,从而影响了各晶面的生长速度,最终决定薄膜的择优取向.