氮化硅νSi-N伸缩振动的衰减全反射红外光谱研究

摘要

采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱法(ATR-FTIR),在313～393 K温度范围内,分别研究了α-氮化硅和β-氮化硅分子结构的红外一维光谱、红外二阶导数光谱和红外四阶导数光谱,并针对氮化硅Si-N伸缩振动,利用二维相关红外光谱考察了温度变化对氮化硅分子结构的影响.结果表明:在波数950～850 cm-1范围内,氮化硅主要存在着Si-N伸缩振动模式(νSi-N).随着测定温度的升高,α-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为874 cm-1＞886 cm-1＞880 cm-1,而β-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为876 cm-1＞880 cm-1＞890 cm-1.