退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响

摘要

采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响.结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜.