用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工

摘要

为利于与微电子加工工艺相结合,基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。在温度(20℃)、相对湿度(30%)和氧气浓度(20%)基本保持不变的情况下,在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5μm长的Ti氧化线,研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用,在偏置电压8V和扫描速度0.1μm/s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线。