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基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构及相应的制备方法,以及光电探测器。所述结构包括:衬底、形成于所述衬底上的氧化镓纳米柱、形成于所述氧化镓纳米柱上的银纳米线‑石墨烯复合薄膜。所述方法包括在衬底上生成氧化镓纳米柱,在所述氧化镓纳米柱上转移形成石墨烯薄膜,在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线。本发明具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明的光电探测器具有自供电、光谱选择性好的特点,对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。

著录项

  • 公开/公告号CN110112233B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 唐为华;

    申请/专利号CN201910393502.8

  • 申请日2019-05-13

  • 分类号H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/18;

  • 代理机构北京清诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人乔东峰

  • 地址 100088 北京市海淀区罗庄西里碧兴园1号楼2707室

  • 入库时间 2022-08-23 13:30:20

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