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黄燕华; 陈松岩; 李成; 蔡加法; 余金中;
集美大学诚毅学院;
福建厦门361021;
厦门大学物理系;
福建厦门361005;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
金属-半导体-金属结构; 光电响应度; 探测器;
机译:p型Si晶片上带有沟槽电极的MSM光电探测器的特性
机译:电极几何形状和机械应力对柔性基材制造的基于MSM UV光电探测器的锑掺杂氧化锌纳米结构的影响
机译:两层结构对基于黑硅的MSM光电探测器性能的影响
机译:多孔硅基金属-半导体-金属(MSM)光电探测器结构上经过热处理的触点的特性
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:基于MoSe2 /硅异质结的超快宽带光电探测器具有石墨烯作为透明电极的垂直站立的分层结构
机译:多孔硅作为msm光电探测器的锑的制备,形态和光电特性
机译:用于红外焦平面阵列的铂硅化物/ p型硅和铱硅化物/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:MSM型光电探测器,其谐振腔带有由金属电极光栅制成的反射镜
机译:具有谐振腔的msm型光电探测器装置,包括带有金属电极光栅的反射镜
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