中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜

摘要

采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响，并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度为4．9×10^20cm^-3，霍尔迁移率为56cm^2／V·s，可见光范围内（400～800nm）的平均透过率大于85％。