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周志文; 李成; 余金中;
深圳信息职业技术学院电子与通信学院;
广东深圳518172;
厦门大学物理系;
福建厦门361005;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
北京100083;
外延Ge薄膜; 残余应变; 高精度X射线衍射(XRD);
机译:表面活性剂介导的外延在Si(111)和Si(001)衬底上生长的Ge膜中的残余应变
机译:硅基异质结器件应用中的Si(100)离子注入中掺杂和处理外延Ge↓(x)Si↓(1-x)薄膜
机译:环形暗场图像中(100)Si上Si_(1-x)ge_x(x = 0.20)和Si_(1-y)c_y(y≤0.015)外延应变膜的组成和应变对比度
机译:低能量ECR AR等离子体CVD在没有底物加热的Si(100)上外延生长的应变Si_(1-x)Ge_x薄膜的形成和表征
机译:蓝宝石和器件应用中固相外延生长的Si和SiGe中的残余应变和缺陷。
机译:Si(001)上外延BaTiO3薄膜的晶格应变和铁电极化
机译:分子束外延生长低温缓冲液生长的Si0.6Ge0.4薄膜的应变弛豫
机译:si(sub x)Ge(sub 1-x)薄膜中应变诱导表面纹波形成和位错增殖的机制
机译:利用原子外延法制造Si层,Ge层和Si-Ge层的方法
机译:-使用原子外延方法制造Si层Ge层和Si-Ge层的方法以及形成该层的设备
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
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