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邵会民; 张世林; 谢生; 李献杰; 尹顺正; 蔡道民; 毛陆虹;
天津大学电子信息工程学院;
天津300072;
中国电子科技集团公司第13研究所;
河北石家庄050051;
AlGaN; 日盲; 光谱响应率; 紫外探测器;
机译:p-GaN-i-GaN / AlGaN多量子阱n-AlGaN背照式紫外线探测器
机译:n-AlGaN插入层对背照式AlGaN基p-i-n紫外光电探测器性能的影响
机译:单片集成AlGaN / GaN / AIN的日盲紫外和近红外探测器
机译:128×128像素太阳盲AlGaN p-i-n背照式紫外光电探测器阵列的制作
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:具有高内部增益的背照式GaN / AlGaN异质结紫外光电探测器
机译:具有透明石墨烯电极的快速太阳能盲alGaN / GaN 2DEG紫外检测器。
机译:基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:AlGaN UniPolar载体太阳盲紫外线探测器和制备方法
机译:AlGaN单极载体太阳盲紫外线探测器及其制造方法
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