首页> 中文期刊> 《光电子.激光》 >光寻址电位传感器的噪声特性研究

光寻址电位传感器的噪声特性研究

         

摘要

研究光寻址电位传感器(LAPS)的器件噪声特性。通过对LAPS半导体场效应器件的结构分析,建立LAPS的理论模型,并进一步分析LAPS器件噪声信号的来源、种类及特性。以pH缓冲液中H离子浓度为检测对象,搭建基于NI采集卡和Labview环境的LAPS测试系统,对影响LAPS信号噪声特性的光源波长、光源调制频率、光源强度和Si衬底厚度等因素进行了仿真和实验研究。结果表明,增大光源波长和光源强度是提高输出信号幅值和信噪比(SNR)的最有效方法。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号