光寻址电位传感器特性的仿真分析

摘要

光寻址电位传感器(Light Addressable Potentiometric Sensor，LAPS)，是一种新型硅传感器，具有EIS（电解质／绝缘层／硅）和MIS（金属／绝缘层／硅）两种基本结构，在生物领域有着广泛的应用，一出现就为了研究热点。该文用仿真的方法分析了LAPS两种基本结构的原理，首次提出MIS结构LAPS的电路模型并采用能带理论得到了数学模型，所有的结果都正确反映了LLPS的实际特性。最后利用这种方法分析了影响LAPS灵敏度的因素：硅掺杂浓度，绝缘层厚度以及光强等，并提出了LAPS的设计方案。