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张俊兵; 林岳明; 范玉佩; 王书昶; 曾祥华;
扬州大学物理科学与技术学院;
江苏扬州225002;
扬州华夏集成光电有限公司;
江苏扬州225009;
GaN基发光二极管(LED); 图形蓝宝石衬底(PSS); 光提取效率; ICP;
机译:在具有高纵横比的溅射蓝宝石成核蓝宝石衬底上制备的GaN基发光二极管中,效率与晶体结构之间的空间相关性
机译:错切蓝宝石衬底上生长的具有自然织构的p-GaN接触层的GaN基发光二极管的静电放电性能研究
机译:蓝宝石衬底上具有两步绝缘层方案的GaN基近紫外倒装芯片发光二极管的性能增强
机译:不同衬底条件下GaN基发光二极管的光提取行为;纳米级和微米级蓝宝石衬底?
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:在图案化蓝宝石衬底上的1个超高速GaN基青色发光二极管,用于1 Gbps塑料光纤通信
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:使用GaN衬底作为生长衬底的GaN基发光二极管和包括该衬底的发光器件
机译:由蓝宝石衬底上的沟槽图案化的GaN层制造GaN衬底的结构和方法
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