会聚偏光干涉测量晶体双折射率

摘要

光轴平行表面的晶片的会聚偏光干涉对晶体的双折射率非常敏感.干涉图的对称中心对应于正入射光线,双折射率正比于此点的干涉级md ,md的小数部分主要由中央暗条纹的位置决定,md的整数部分由自洽的办法求出.干涉条纹可以用双曲线很好地拟合,使干涉图特征点的提取更为精确.用不同厚度的铌酸锂晶片作了测量,双折射率不确定度为1(10-4.