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单轴晶体

单轴晶体的相关文献在1979年到2022年内共计188篇,主要集中在晶体学、物理学、无线电电子学、电信技术 等领域,其中期刊论文155篇、会议论文7篇、专利文献68794篇;相关期刊88种,包括湖北工程学院学报、中北大学学报(自然科学版)、杭州师范大学学报(自然科学版)等; 相关会议6种,包括华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会、全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议、中国光学学会2004年学术大会等;单轴晶体的相关文献由293位作者贡献,包括李国华、胡树基、刘尚阔等。

单轴晶体—发文量

期刊论文>

论文:155 占比:0.22%

会议论文>

论文:7 占比:0.01%

专利文献>

论文:68794 占比:99.77%

总计:68956篇

单轴晶体—发文趋势图

单轴晶体

-研究学者

  • 李国华
  • 胡树基
  • 刘尚阔
  • 张洁
  • 昌明
  • 李坤
  • 段亚轩
  • 沈为民
  • 潘亮
  • 田留德
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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年份

期刊

    • 许琳茜; 朱榕琪; 朱竹青; 贡丽萍; 顾兵
    • 摘要: 基于理查德-沃尔夫矢量衍射理论和逆法拉第效应,提出一种在单轴晶体中产生高纯度纵向针形磁化场的方法.该方法通过电偶极子对数N及其阵列多参数调控,利用单轴晶体中的电偶极子反向辐射构建出优化的入瞳光场,再正向紧聚焦获得所需目标磁化场.模拟结果表明:当N=1时,单轴晶体中产生的磁化场比在同性介质中焦深长度增加近1.4倍,横向分辨率提高5%.当N=2和N=3时,单轴晶体中获得的纵向针形磁化场随着电偶极子对数增加,轴向焦深增加了10%,横向分辨率提高了18%.随着磁化场轮廓表面值从0.1变化到1,针形磁化场的纯度逐渐增大到1.尤其当N=2、轮廓表面值为0.1时,磁化场纯度高达95%.研究结果为在各向异性介质中生成更高纯度、针长更长的纵向磁化场提供了可行性方案,也为全光磁记录、原子捕获和光刻等实际应用中入瞳光场的优化选取提供了理论指导.
    • 黎昌金; 陈小云; 王登辉
    • 摘要: 就任意方向的平面电磁波从各向同性介质入射到任意取向的单轴晶体表面的情况,给出了晶体表面两侧反射波和透射波、反射率和透射率更加普遍且具体的解析表达式.利用MATLAB仿真研究了在不同参数条件下平面电磁波从空气入射到方解石表面时反射率和透射率规律,对比得到如下结论:当方解石绕光轴旋转会影响o光和e光的透射率大小,但不会影响反射率大小;当入射波电矢量方向改变时,反射率和透射率都要发生改变.分析得出在不同参数条件下反射波和透射波都满足能量守恒定律,在一定条件下方解石不仅可以实现光波选择,而且可实现偏振分离,偏振度可达到90%,能为晶体器件的设计提供借鉴.
    • 何健
    • 摘要: 本文从麦克斯韦方程组出发,以单轴晶体为例,考虑介电常数为张量的情形,导出了双折射电矢量的非典型波动方程.针对该方程的耦合性质,通过限定其解须满足的两类约束条件,将待求的电矢量分解为Φ→和E→两部分,从而得到性质迥异的两个独立波动方程:其一为满足散度再梯度为零的E→方程,另一为满足拉普拉斯算子作用为零的Φ→方程.E→方程是标准波动方程,可直接求得其平面波解,其解的形式呈现出沿光轴方向的电振动引发具有特殊的波矢、波速及折射率,这是产生e光的原因;Φ→方程则是具有对称性的耦合波动方程,其解具有回旋性质,称"回旋波",回旋波具有取向局域性,其光轴方向振幅快速衰减无法形成长程波动,故导致波面扩散有取向性从而形成双折射.通过两部分解的合成分析,可得出关于单轴晶体中双折射现象的系列表述,包括o、e光来源、折射率及波速的分布等,更重要地是更加深入地展示了传统理论中未曾给出的波动细节.
    • 邢容; 朱湘萍; 韩鑫
    • 摘要: 本文利用惠更斯原理推得了光线自各向同性介质入射到单轴晶体边界面上时所产生的e光光线的折射关系式,并给出了相关各角度的符号规则.该关系式适用于光轴位于入射面内的各种情形.运用此关系式,本文讨论了几种特殊情况,结果发现,与o光类似,若入射光线在入射面内绕入射点转动,那么e光也会发生相同方向的转动;在特定条件下,e光可以和入射光处于法线的同侧;当光线垂直界面入射时,e光光线存在最大折射角.
    • 张恒闻; 王瑞博; 曹重阳; 朱竹青
    • 摘要: 本文基于逆法拉第效应,利用矢量衍射理论详细研究了紧聚焦的柱对称矢量涡旋光束在单轴晶体中诱导磁化场的分布.探讨了输入光场矢量特性、单轴晶体磁光常数间的比值、o光和e光折射率差以及各向同性介质-单轴晶体界面位置对磁化场分布的影响.数值模拟发现,单轴晶体磁光常数间的比值愈大、o光和e光折射率差越小以及各向同性介质-单轴晶体界面的位置趋近于透镜焦点,都会使磁化强度得到增强,半高全宽减小.与各向同性介质中的磁化场相比,单轴晶体中磁化场半高全宽更小,磁斑长度更长.这将有利于全光磁存储记录密度的提高以及磁化反转率的提升,并为全光磁记录、原子捕获、光刻等应用提供理论指导和新的调控手段.
    • 练萌; 顾兵
    • 摘要: 为了实现光场的偏振态调控,对拥有复杂偏振态分布的杂化偏振矢量涡旋光场在单轴晶体中垂直于光轴的传输特性展开研究.基于光束在各向异性单轴晶体中的傍轴矢量传输理论,推导出杂化偏振矢量涡旋光场在单轴晶体中传输的具体表达式.通过数值模拟,得出了不同参数下杂化偏振矢量涡旋光场在单轴晶体中传输的演变规律.结果表明,光束半径、传输距离以及单轴晶体的e光和o光折射率比值对杂化偏振矢量涡旋光场在单轴晶体中的强度分布、偏振态分布、自旋角动量分布以及涡旋相位分布有调节作用.光束半径越小,传输距离越大,单轴晶体的各向异性强度越大,则对杂化偏振矢量涡旋光场的传输特性影响越大.
    • 刘延君; 樊航; 侯尚林; 王道斌; 雷景丽; 李晓晓
    • 摘要: 设计了一种包层为单轴晶体LiTaO3的新型光纤布拉格光栅传感器,将一个布拉格光栅分成两半,仅在其中的一半包层上施加电场,另一半保持不变,应用耦合模理论和电光效应原理研究了有外加电场时的传感性能.研究结果表明,由于包层材料的电光效应,布拉格反射峰将由初始的一个分裂成两个,分别对温度和电场敏感.其中无外加电场的一半光栅的温度灵敏度为14.31 pm/°C,与之对应的布拉格波长漂移只与温度有关;当电场强度从0 v/m增加到400×107 v/m时,有电场的一半光栅的温度灵敏度从14.31 pm/°C降低到14.13 pm/°C,与之对应的布拉格波长漂移不仅与温度有关,还受到电场强度的影响.因此,应用该传感器可分辨出温度和电场强度所引起的布拉格波长漂移,从而实现了温度和电场的同时测量,尤其在高电压领域具有潜在的应用价值.
    • 尹宝银; 李金萍
    • 摘要: 本文根据菲涅耳公式讨论了一束线偏振光垂直入射于波晶片时,在计反射而不计吸收的情况下,在单轴晶体内被分解的寻常光和非常光的振幅及强度问题.同时,推导了线偏振光透过波晶片后光波的振幅、强度和透过率的表达式,通过将其与目前流行的教材所给出的不计反射的表达式进行比较,揭示了不仅有数值大小上的差异,而且还有光的偏振方向和光的强度关系等差异.
    • 何景婷
    • 摘要: 单轴晶体的双折射率是一个重要的光学参数,本文介绍了一种用迈克尔逊干涉仪测量单轴晶体双折射率的方法.
    • 唐雄; 姚兰芳
    • 摘要: By analysing the spreading of extraordinary ray in uniaxial crystal when the optical axis is parallel to the incident plane,the extraordinary ray reflection and transmission properties in uniaxial crystal film were studied.Based on the refractive index surface of uniaxial crystal and the relationship between extraordinary ray and wave normal and according to the phase matching condition of incident light,reflected light and refracted light,the boundary conditions at the surfaces of uniaxial crystal were obtained when optical axial is parallel with the incident plane. Then,the reflectance and transmittance of crystal thin film were calculated based on the phase relationship and the boundary conditions at the surfaces of two crystal thin films.The transmittance and the relationship between the change of refractive index with optical axis angle of quartz (positive crystal)thin film and lithium niobate(negative crystal)thin film were calculated by using the method proposed.The results show that the method is correct and suitable for both positive crystal and negative crystal.The formulation given in the paper is general and representative.%通过对非寻常光在光轴平行于入射面的单轴晶体中传播情况的分析,研究了光轴平行于入射面时,非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射与透射特性。根据入射光、反射光和折射光之间的相位匹配条件,利用单轴晶体的折射率面和非寻常光光线与光波法线的关系,得到单轴晶体光轴平行于入射面时其表面的边界条件。然后根据晶体内部前后表面处电场量的相位关系,联系两表面处的边界条件,计算了单轴晶体薄膜的反射率与透射率。应用得出的计算方法,计算了石英(正晶体)薄膜和铌酸锂(负晶体)薄膜的透射率和折射率随光轴角度的变化关系。结果表明,计算方法正确,不仅适合正晶体对负晶体也适用,求解方法简单实用,所给的表达式具有一般性,可以直接使用。
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