X射线光刻技术

摘要

在LSI日益加快向高集成化、高速化发展的同时,推动LSI发展的16M比特动态随机存取存储器(DRAM)已达到批量生产的水平.目前高集成化速度每三年提高四倍,预计今后仍将按这个速度持续下去.在光刻技术中作为重要指标的最小图形尺寸每代缩小30%.据预测,256M比特DRAM的最小尺寸为0.25～0.2μm、1G bit为0.18～0.15μm、4G bit为0.12～0.1μm.