4Gbit动态存储器用的晶体管

摘要

为了实现21世纪高度信息化正在开发千兆比特存储器,预计到2005年4Gbit动态存储器(DRAM)产品化。实现4Gbit动态存储器的.关键技术是0.1μm的微细加工技术和0.1μm的微细器件技术。使用X射线蚀刻,试制尺寸0.12μm4Gbit DRAM用的阵列MOSFET.井确认了其工作。本文作为器件技术实现了门电路和间距为0.12μm。的元件区,及0.12μm的门电路之间的匹配接点.并实现0.12μm的晶体管。也证实了4Gbit动态存储的器单元晶体管的正常工作。