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何佩谣; 赵越; 刘宇; 王波; 朱效立;
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 北京 100029;
中国科学院大学 北京 100049;
中国科学院高能物理研究所 北京 100049;
同步辐射; Ge2Sb2Te5; X射线光电子能谱; 化学键;
机译:碳掺杂的Ge2Sb2Te5相变材料:高密度相变存储应用的候选材料
机译:GeTe和Ge2Sb2Te5相变材料的拉曼散射研究
机译:Ge2Sb2Te5相变膜的温度和浓度依赖性结晶行为:钨掺杂效应
机译:Ge2Sb2Te5相变材料和垂直排列的碳纳米管之间的欧姆接触形成
机译:S-1(银-氧-铯)阴极的X射线光致变光谱
机译:非晶Ge2Sb2Te5相变随机存取存储材料的耐辐射性起因
机译:无定形GE2SB2Te5相变随机存取存储器材料的辐射耐受的起源
机译:电离辐射对推进剂,氨氮和肼的X射线辐照效应的初步研究
机译:用于热致变光材料的聚乙烯树脂,用于热致变光材料的改性聚乙烯树脂和热致光敏材料
机译:基于一阶相变LA(FE,SI) 13 Sub>的低磁滞损耗的磁热效应材料及其制备方法和用途
机译:脚跟效应补偿滤光片X射线辐照器,X射线CT扫描仪和X射线CT成像方法
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