插层化合物2H—Fe0.5TaSe2的穆斯堡尔谱研究

摘要

在14—500K的温度范围内对插层化合物2H-Fe_(0.5)TaSe_2进行了Mossbauer谱研究。用电化学方法将Fe插入层状化合物TaSe_2,首次得到高插入量的化合物2H-Fe_(0.5)TaSe_2(Fe_x中的x可达最大值2)。Mossbauer谱的结果表明,插入的Fe处在Fe^(3+)的高自旋态,并以相同的几率占据范德瓦尔斯间隙的八面体和四面体空隙。在这两个晶位上,铁离子的有效质量(M_(eff))接近57u,特征温度θ_M较低(分别为130K和107K)都说明插入的Fe^(3+)受到的作用力较弱。另外,还用SCC-DV-x。方法计算了铁的同质异能移,计算结果与实验符合得很好。