质子在硅中能量损失的体密度效应的研究

摘要

用能损的二分量理论详细讨论了快速荷电粒子在同素异形态Ｓｉ薄膜中的能量沉积过程。在Ｂｅｔｈｅ－Ｂｌｏｃｈ公式中引入了一个能损修正因子η（Ｅ，ρ）≤１。由入射粒子在固体中产生传导电子的集体激发和附有修正因子η（Ｅ，ρ）的内壳层电子单体电离－激发之和解释能损的同素异形态效应的实验结果，通过对实验数据的拟合，救是η（Ｅ，ρ）。