pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨

摘要

利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳ ＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值的电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压，沟道载流子迁移率的影响，对“零温度系数点”从理论上进行了讨论，探讨了辐射对“零温度系数点”的影响。