MOCVD制备的氮化铪薄膜结构特性研究

摘要

以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfN,薄膜样品.薄膜结构信息用RBS技术、XRD技术及X射线反射率(XRR)计等来表征.实验结果表明,HfN薄膜中N与Hf原子组分比为1.15;薄膜为多晶薄膜且沿(111)方向择优生长;薄膜表面平整,与衬底界面粗糙度小.