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张乔丽; 袁大庆; 范平; 左翼; 郑永男; 马小强; 梁珺成; 朱升云;
中国原子能科学研究院 北京102413;
超精细相互作用; 第一性原理; WIEN2k; SnO2; 稀磁半导体;
机译:三元Y(FeV)(12)化合物及其碳化物的超精细场的第一性原理计算
机译:M掺杂Si_(16)H_(16)富勒烯笼(M = Cr,Mn和Fe)中超精细结构的第一性原理计算
机译:GaAs衬底上半绝缘GaN生长的Fe掺杂机理的第一性原理计算和X射线吸收精细结构分析
机译:La或In掺杂的SnO2的电子结构和光学性质:第一性原理计算
机译:掺杂MnBi化合物的第一性原理计算
机译:3d过渡金属掺杂的黑色和蓝色磷光体中的稀磁半导体和半金属行为:第一性原理研究
机译:In2O3和SnO2中n型掺杂的限制:使用混合功能方法通过第一性原理计算的理论方法
机译:角分辨光电发射延长了化学吸附c(2(次)2)p / Fe(100)的精细结构研究:与自洽场X(α)散射波计算的比较
机译:包含场扩散区和掺杂扩散超晶格层以减小接触电阻的FINFET及其相关方法
机译:半导体组件即MOSFET具有与场板电连接并与漂移距离互补形成的浮动掺杂区,其中场板与场板电压限制结构耦合
机译:通过多沟道掺杂形成具有超浅超陡峭逆向epi沟道的pMOSFET的制造方法
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