HL-1装置边缘扰动特性研究——静电探针方法

摘要

cqvip:本文针对HL-1托卡马克边缘等离子体扰动特性做了详细的研究。在低频范围内(2πω≤200kHz《ω_(ci)),装置边缘扰动为湍流扰动。孔栏附近悬浮电位扰动的相对量和密度扰动的相对量分别为40％和30％。频率较低时(2πω≤75kHz),扰动的相关性较强;频率较高时(2πω≥125kHz),相关性下降或呈现下降趋势。实验中还发现,在等离子体刮削层的扰动频谱宽度要大于等离子体柱边缘的谱宽度。最后，文中给出了粒子输流Γ随径向的分布，其值约在1.0×10^(16)cm(-8)、s^(-1)量级。由Γ值可心得到扩散系数经为D≈1.2×10~4cm^2·s^(-1),可以同玻姆扩散系数D_Bohm ≈1.0×10~4cm^2·s^(-1)进行量级上的比较。