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代利峰1; 龚亮1; 刘涛2; 安立宝1;
[1]华北理工大学机械工程学院,河北唐山063210;
[2]华北理工大学理学院,河北唐山063210;
碳纳米管 第一性原理 B(N)掺杂 Cu吸附;
机译:硼掺杂碳纳米管上金属原子吸附的第一性原理研究
机译:钯原子在硼或氮掺杂碳纳米管上吸附的第一性原理研究
机译:氢吸附对未掺杂和掺杂Cu的ZnO(10(1)over-bar0)表面性质的影响:第一性原理研究
机译:锂原子与H吸附的(3,3)单壁碳纳米管相互作用的第一性原理研究
机译:石墨烯和碳纳米管的功能化和取代掺杂的第一性原理研究。
机译:吸附和掺杂Ce的石墨烯吸附Ag的第一性原理研究
机译:碱性卤化物表面上金属吸附原子的吸附,扩散和电荷稳定性的第一性原理研究
机译:Cu3单分子磁体中自旋电耦合的第一性原理研究
机译:Buckytubes。包含其他原子的晶格为电荷提供了存储,可以进行八进制处理。特别地,掺杂有三个不同原子的截短的碳纳米管(“ Buckytubes”)可以存储八位电荷(代表八位数字),从而可以进行八进制处理,从而取代了当前的二进制系统。
机译:碳纳米管的N掺杂材料,使用N掺杂的碳纳米管的方法以及使用N掺杂的碳纳米管的设备
机译:碳纳米管的n掺杂材料,使用相同碳纳米管的n掺杂方法以及使用n掺杂碳纳米管的设备
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