氢气流量对定向碳纳米管生长的影响及其生长机理研究

摘要

采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,在不同H2流量下,直接在硅基底上生长定向碳纳米管阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman)对样品进行观察和表征,并研究了H2流量对定向碳纳米管生长的影响和碳纳米管定向生长的机理.结果表明:H2在反应过程中起刻蚀作用,H2流量为60cm3/min时,生长的碳纳米管定向性最好.