定向生长

摘要： 在柠檬酸的调控下,采用水热法合成SnO2纳米棒.利用高分辨透射电子显微镜、X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、Brunauer-Emmett-Teller氮吸附、紫外可见漫反射光谱和光致发光光谱研究了SnO2样品在生长过程中的结构特征.结果 表明,SnO2纳米晶体的生长可进一步分为2个阶段:早期SnO2纳米晶遵循定向附着模式生长,而后期采取Ostwald熟化模式沿[001]方向缓慢生长.SnO2纳米粒子在不同阶段的光致发光性能和光催化活性显示:在晶体的生长过程中,这2种性能变化趋势几乎相似,即生长前期性能迅速增加,随后性能逐渐降低.

摘要： 采用药芯焊丝明弧自保焊技术在Q235C低碳钢基体上进行了双层耐磨堆焊,采用强制冷却技术对M7C3碳化物的生长方向进行了控制,制备出了定向生长碳化铬堆焊复合耐磨板.采用光学显微镜、硬度仪、针盘磨损试验机对耐磨板堆焊层的的显微组织、硬度和耐磨性能进行了测试分析.结果表明,第一堆焊层为亚共晶成分,显微组织为马氏体(+残余奥氏体)+共晶组织;第二堆焊层为过共晶成分,显微组织为初生碳化物M7C3+共晶组织;从熔合区到堆焊表面硬度逐渐升高,堆焊表面硬度达到60.2 HRC.通过强制冷却技术控制,第二堆焊层中M7C3碳化物的生长方向垂直于堆焊表面,有利于提高堆焊层的耐磨性,针盘磨损试验中磨损失重仅为作为对比试样的Q235C基体的1/30.在磨煤机筒体防磨板上的实际使用结果显示,其使用寿命达到某市售堆焊耐磨板的3倍.

摘要： 磷酸二氢钾(KDP)类晶体快速生长主要采用点籽晶快速生长方法,三维生长的点籽晶不可避免的会使晶体产生柱锥交界线,从而影响晶体的性能和质量。本文通过所设计的载晶架,改进传统点籽晶快速生长方法,采用点籽晶定向生长方法,成功生长出磷酸二氘钾晶体(70%DKDP),避开生长晶体中的柱锥交界线取片,并对其氘含量、透过率、抗激光损伤性能以及光学均匀性等指标进行了测试。结果表明:所生长的晶体氘含量符合设计要求,晶体透过率和抗激光损伤性能和传统点籽晶快速生长晶体保持一致。光学均匀性结果表明样片内部无柱锥交界线,对于大口径70%DKDP晶体的生长具有指导意义。

摘要： 镍钴锰酸锂作为一种层状三元锂离子电池正极材料,因为成本低、放电容量大、循环性能好等特点备受关注,尤其是LNi0.85Co0.10Mn0.05高镍系列,作为高容量锂离子动力电池最佳候选材料之一,被寄予厚望.但其容量衰减快、循环差和高低温性能不好等限制了其应用.利用共沉淀法,在高反应温度条件下,降低结晶速率和搅拌速率,通过对材料进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、剖面和理化分析等测试发现,结晶速率的降低,使得材料结晶性更好,一次颗粒呈长城有序定向分布,同时颗粒内部均匀分布有一定量较大孔径的孔隙,一定条件下烧结后,正极材料颗粒单晶尺寸均匀一致,颗粒内部也均匀分布有一定量孔隙.充放电测试显示,在高温45°C条件下,1C放电比容量升高了2mAh/g,循环300周和500周后,容量保持率分别提高了2.26％和7.92％,并且随着循环次数增加,容量衰减率逐渐趋于平稳.

摘要： 1994-1997年，我师从严先生攻读博士学位，研究氮氧化物（SiAlON）陶瓷显微结构对性能的影响。氮氧化物研究是先生于上世纪80年代亲自部署和领导的开创性工作，利用实验方法建立氮氧化物相平衡关系，并据此设计材料组分及确定关键制备技术，揭示材料成分及显微结构对性能的制约关系，实现陶瓷晶粒的可控定向生长和原位自增韧补强机制。

摘要： 论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面调控的影响,归纳总结目前国内外多晶硅生长界面的研究现状,展望了多晶硅晶体生长过程中固-液界面调控技术的发展前景。

摘要： The oriented growth process of HgI2 seed layer was investigated in HgCl2-KI-H2 O solution. The reaction mechanism in HgCl2+KI+H2 O was studied when the mole ratio of HgCl2/KI varies from 1∶1 to 1∶6 .Growth unit in system was determined by visible and UV spectrometers.The morphology of seed layer was observed using a LEICA-DM2500P polarizing microscope.The results show:Red shift occurs along with [HgI2 ]n polymer,and blue shift appears with complexes K [HgI3 ]· H2 O.Through the discussions on the characterization of UV spectra,it is suggested:The size and coverage of grain increase with [I ]- concentration,and the sufficient grain develops gradually.The forming polymer [HgI2 ]n results in increased density of electron energy levels,reduces transition energy,leading to red shift.Blue shift emerge is dictated that electron transits from nonbonding to antibonding in K [HgI3 ]· H2 O,resulting from increment of lone pair electron concentration.The best density of seed layer forms as HgCl2/KI= 1 ∶6 .Grain stacking would be controlled by retarding the reaction in higher [I ]-concentration.%为提高气相沉积碘化汞（α-HgI2）多晶薄膜定向生长效果，研究了 HgCl2和KI 溶液化合反应法制备用于同质外延的 HgI2籽晶层的生长工艺．建立了 HgCl2／KI＝1∶1～1∶6（摩尔比）的反应体系，通过改变体系中碘离子（[I]－）浓度，研究了液相体系的反应过程．通过紫外-可见分光光度计研究了反应体系中组元转变特征，采用偏光显微镜分析了不同浓度下晶体结晶形貌和分布特征．UV光谱表明：随着[I]－浓度增大，体系中出现[HgI2]n 聚体并导致吸收峰红移，以及K[HgI3]·H2 O吸收峰出现蓝移．宏观形貌分析表明：籽晶层粒度和覆盖度随[I]－浓度增大而增大，晶粒逐渐发育充分．[HgI2]n 聚体的形成导致电子能级密度增加，跃迁能量降低，形成红移；孤对电子浓度增大在K[HgI3]·H2 O 出现电子从非键轨道向反键轨道的跃迁现象，形成蓝移．当 HgCl2／KI＝1∶6时，覆盖度最佳．分析认为，控制高浓度体系中反应速率可降低晶粒堆垛现象．

摘要： Zircon⁃type LaVO4∶Eu3+ nanorods were successfully synthesized by solvothermal process with EG/water at volume ratio of 1/12 as solvent and EDTA as template. The samples were characterized by XRD, FTIR, SEM, TEM and PL test. The result showed that the nanorods featured uniform size, high crystallinity, smooth surface and large aspect ratio. The nanorod grew along [001] crystal orientation. EDTA could regulate the phase of products and induce the growth of nanocrystals. Meanwhile, adding a small amount of EG greatly enhanced the induce ability of EDTA template and improved the morphology of products. The fluorimetry results showed that the most intense emission peak was that of the red light narrow band caused by 5 D0→7 F2 electric dipole transition of Eu3+ in t⁃LaVO4 ∶5%Eu3+. The relative intensity of two emission peaks at 615 nm and 620 nm was closely related to the orientated growth of nanorod along [001] direction.%以体积比1／12的EG／水为溶剂，EDTA为模板剂，通过溶剂热反应合成了四方锆石型（ t⁃） LaVO4纳米棒。运用XRD、FTIR、SEM、TEM、PL等手段对样品进行了表征，结果表明，纳米棒具有尺寸均匀、结晶度高、表面光滑平整、长径比高等特点；纳米棒沿[001]方向定向生长，EDTA具有调控产物物相及介导纳米晶生长的作用，同时通过加入少量EG，大大增强了EDTA的模板导向能力，改善了产物形貌。荧光测试结果表明，t⁃LaVO4∶5％Eu3＋中Eu3＋的5 D0→7 F2电偶极跃迁引起的红光窄带发射峰强度最大，其在615 nm与620 nm处劈裂峰的相对强度与纳米棒在[001]方向的定向生长密切相关。

摘要： 在被子植物中,精子是通过花粉管来传递的,但花粉管如何将精子传递到卵子,是植物生殖生物学几十年来关注的主要问题,也是杂交育种的技术瓶颈之一。因为不具备动物精子的游动能力,被子植物中的胚囊会分泌信号分子引导花粉管定向生长。花粉管则将精子细胞运送到胚囊里,进而和包裹在胚囊内的卵细胞结合。

摘要： 采用水热法,分别以丙二酸、正丁醇、乙二胺为表面活性剂,研究3种体系下 TiO2纳米晶体的生长过程.XRD结果显示3种体系下主要产物为锐钛矿TiO2；TEM和 HRTEM结果表明在不同的生长阶段,纳米晶体的生长结构特点明显不同.分别采用定向生长理论(Orientation attachment,OA)、弗兰克尔收缩理论(Frenkel shrinking,SH)、奥斯特瓦尔德熟化理论(Ostwald ripening,OR)对3种体系下的晶体生长进行理论模拟,结果发现在丙二酸、乙二胺体系下晶体生长分为3个阶段：定向聚集生长、颗粒收缩、奥斯特瓦尔德熟化,且乙二胺体系下颗粒明显增大；但是在正丁醇体系下晶体生长仅显示明显的 OR 特征,不存在OA生长.理论和实验分析说明不同体系下晶体生长方式不同的主要原因是由于3种表面活性剂以及溶液pH 值的不同作用.%It is investigated that the growth process of TiO2 nanocrystalline under the hydrothermal condition with the presence of malonic acid,butyl alcohol or ethylenediamine.The XRD results show that the products are anatase and the images of TEM and HRTEM show that the construction feather of TiO2 nanoparticles is dif-ferent at the different stage.Furthermore,three nanoparticle growth models,such as Orientation attachment (OA),Frenkel shrinking (SH)and Ostwald ripening (OR),were employed to fit nanoparticle growth data in order to elucidate growth mechanisms operating during hydrothermal aging.It is discovered that a unique three-stage hydrothermal growth of anatase nanoparticles is presented in malonic acid and ethylenediamine:OA,SH, and OR.The crystalline size under ethylenediamine is bigger than that under malonic acid.The Ostwald ripe-ning mechanism is dominant under butyl alcohol.According to the data,the different growths depend on the de-tailed interplay between bulk solution pH and surface chemistry.

摘要： 本文分别采用涂覆法、引入静电场的方法实现了V型火焰法中碳纳米管的定向生长。涂覆法得到的定向碳纳米管含颗粒多、可重复性差。与之相比,引入静电场的方法能够促使碳纳米管在合成过程中沿着电场线方向生长,更容易合成管径均匀、准直性良好的定向碳纳米管,从而实现V型火焰法中碳纳米管定向生长的可控性。

摘要： 金属-气体共晶定向生长(Gasar)是一种制备气孔沿凝固方向规则排列的多孔金属的新工艺.本文通过求解凝固界面前沿的浓度场,建立了一个可以预测气孔率、孔径、孔间距与气体压力、生长速率之间关系的理论模型.结果表明,在冷却条件相同时,平均孔径和孔间距主要决定于气体总压力的大小,而气孔率不仅取决于气体总压力,而且还受氢气和氩气的分压比的影响。

摘要： 本文采用聚乙烯醇(PVA)高分子水溶液与半导体金属盐发生高分子配位络合反应形成高分子金属络合物,再利用化学氧化和气固(VS)纳米线生长机理,在硅(111)衬底上合成了定向生长的ZnO纳米棒.通过扫描电镜SEM、X射线衍射XRD和扫描探针显微镜SPM对纳米棒的结构进行了表征.探讨了在硅(111)衬底上ZnO纳米棒的生长机理和生长条件.

摘要： 为研究烧结制度对SiO2-Al2O3-MgO-F系微晶玻璃析晶特征的影响,采用高温熔融-淬冷法制备基础玻璃,利用热压烧结方法制备微晶玻璃.结果表明:样品在热压烧结过程中,析出晶体的种类主要是云母和MgSiO3相,施加压力对析出晶体的种类影响不大.但是不同阶段施加压力对析出晶体的形态有显著的影响,在核化阶段施压可以形成晶体的定向生长,提高压力可以促进晶体的择优长大,而仅在晶化阶段施压对晶体的择优生长影响较小.

摘要： 本文利用Voigt-Reuss-Hill平均方法,对不同生长方向的微纳米材料结构的声子形变潜能进行了计算,得出了硅纳米材料不同生长方向上的声子形变潜能,为硅材料的定向生长提供了较好的参考依据.

摘要： 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄酮基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上,综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.

摘要： 本文通过X射线XRD、扫描电镜SEM、透射电镜TEM等分析手段,研究了不同有机单分子膜和阴离子对矿化相的晶体结构、形核、晶体形貌和结晶学定向生长的调控作用及其机理.结果表明:(1)无有机膜时,生成物为磷酸八钙(OCP)和羟基磷灰石(HAP)的混合物,其生长晶体排列无一定规则;而在有机膜存在下,极性基团的静电作用使有机膜/溶液界面处形成局域过饱和浓度,促进羟基磷灰石晶体快速形核;(2)在十六胺有机膜存在下,生成的晶体为定向生长且规则排列的纳米片状HAP晶体,在二十烷基硫酸酯有机膜存在下,生成的晶体以辐射方式生长,晶体的排列有一定规律.在柠檬酸有机膜存在下,所诱导的晶体也呈片状,但晶体的排列和结晶学取向无一定规则.(3)在十六胺有机膜存在下,矿化液中不同阴、阳离子的存在对HAP晶体形貌影响显著.在Cl离子存在下,生成的磷酸钙盐皆呈片状生长,Mg离子的存在降低了磷酸钙盐晶体的生长速度,而SO离子的存在则使HAP晶体呈团蔟状生长.实验表明,HAP晶体生长与形貌同时受有机膜结构与矿花液离子的共同影响.

摘要： 本文报导了在我国"神舟二号"飞船上进行的Al-MgSi共晶合金的定向生长样品的初步分析结果.分析表明微重力对Al-MgSi共晶合金的定向生长有影响.空间凝固样品中的共晶团比地面的粗大,且定向生长效果不明显,但片层厚度没有显示出明显差异,而空间样品中平均片层间距比地面样品中的小.并就空间环境对Al-MgSi共晶合金的定向生长的影响进行了讨论.

摘要： 本文通过X射线XRD、红外光谱FTIR、扫描电镜SEM、透射电镜TEM等分析手段,研究了十六胺有机单分子膜对羟基磷灰石(HA)晶体结构、形核、晶体形貌和结晶学定向生长的调控作用及其机理.结果表明:无有机膜时,生成物为磷酸八钙(OCP)和羟基磷灰石(HA)的混合物,其生长速率很慢且晶体排列无一定规则;而在十六胺有机单分子膜调控下,生成物为规则排列的、沿定向生长的、结晶良好的纳米片状羟基磷灰石晶体,且其形核和生长速度均很快.分析表明:十六胺有机膜上带有大量极性强、电荷密度高的-NH基团,它们通过静电作用在有机膜/溶液界面处形成局域过饱和浓度,促进羟基磷灰石晶体形核;另一方面,十六胺有机膜的二维晶格尺寸与HA(0001)面的晶格参数具有非常良好的匹配关系,构造了一个有利于HA以(0001)面形核生长的结构框架,从而促进了HA相沿方向定向生长.

摘要： 以乙炔为碳源气体,采用微波辅助化学气相沉积法低温合成高纯度的垂直定向碳纳米管阵列。研究了以二茂铁、镍粉和金膜等作为催化剂对碳纳米管阵列形貌结构的影响，并用扫描电子显微镜、透射电镜和Raman光谱等手段对碳纳米管形貌与结构进行观察和分析。实验结果表明,以二茂铁和镍粉为催化剂皆合成了碳纳米管阵列，而以金膜则合成了大量的碳纳米球。通过对纳米管阵列质量的对比研究得出本方法中催化剂的催化活性依次为:铁>镍>金。

摘要： 本发明涉及一种用于大尺寸溴铅铯单晶体的可视化定向生长装置及生长方法，该装置包括炉体和旋转下降系统，所述的炉体包括石英炉管、加热装置，石英炉管内空腔为晶体生长腔，加热装置设置在石英炉管外，在石英炉管的加热装置外套设有保温套管，在晶体生长腔内设置有晶体生长坩埚，晶体生长坩埚的底部为籽晶袋，籽晶袋中设置有CsPbBr3籽晶；所述的旋转下降系统包括长晶杆和驱动长晶杆旋转和下降的驱动装置，籽晶袋固定在长晶杆上。利用本发明的装置生长得到的CsPbBr3单晶尺寸大，晶体透明性好，并且该装置有利于晶体生长过程中杂质的排出，采取缓慢的降温速率，避免了晶体的开裂。

摘要： 本发明涉及一种用于大尺寸溴铅铯单晶体的可视化定向生长装置及生长方法，该装置包括炉体和旋转下降系统，所述的炉体包括石英炉管、加热装置，石英炉管内空腔为晶体生长腔，加热装置设置在石英炉管外，在石英炉管的加热装置外套设有保温套管，在晶体生长腔内设置有晶体生长坩埚，晶体生长坩埚的底部为籽晶袋，籽晶袋中设置有CsPbBr3籽晶；所述的旋转下降系统包括长晶杆和驱动长晶杆旋转和下降的驱动装置，籽晶袋固定在长晶杆上。利用本发明的装置生长得到的CsPbBr3单晶尺寸大，晶体透明性好，并且该装置有利于晶体生长过程中杂质的排出，采取缓慢的降温速率，避免了晶体的开裂。

摘要： 本发明涉及一种超疏水纳米结构有机薄膜的定向生长调控方法，其特点是：对金属基片进行超声清洗；对聚四氟乙烯靶进行预溅射；调控霍尔离子源与金属基片之间的距离以及霍尔离子源的阳极电压、阳极电流、灯丝电流，对金属基片表面定向刻蚀；在金属基片表面溅射氟碳有机薄膜；将沉积氟碳有机薄膜的样品进行高温退火、快速升温，然后降至室温，得到超疏水纳米结构有机薄膜。本发明通过离子刻蚀改变溅射颗粒的沉积位点，经溅射过程调控颗粒动能和势能，优化沉积位点，采用高温退火工艺提升薄膜结晶度，使薄膜不仅定向生长过程可控，而且具有超疏水、低二次电子发射系数等优点，尤其适用于提高开关柜和组合电器等电力设备的环境耐候性和绝缘稳定性。

摘要： 本发明涉及半导体领域。一种碲化铋热电材料的定向生长方法，包括如下步骤：步骤一，准备好待区熔的碲化铋热电材料，将碲化铋热电材料密闭在耐热管件中，耐热管件是石英管或耐热玻璃管；步骤二，将耐热管件放入真空腔体中，真空腔体中安装有一竖直设置的旋转支撑轴，耐热管件呈垂直状安装在旋转支撑轴的顶部，旋转支撑轴内部设有水冷通道；步骤三，利用区熔法制备Bi2Te3晶体。本专利改善了晶体材料径向受热的均匀性，控制了结晶过程中的晶体热传导方向，增大了生长方向上的温度梯度，提高了晶体材料的热电性能，有效地防止了因生长界面倾斜而产生的热电元件边角开裂或边角残缺问题。

摘要： 本申请公开了一种诱导原代皮层神经元轴突定向生长的三维组合微流道，包括：软光刻支撑流道和双光子光刻轴突生长支架；软光刻支撑流道上开设有第一交互接口和第二交互接口，软光刻支撑流道内设置有第一细胞腔室和第二细胞腔室；第一细胞腔室与第一交互接口连通，第二细胞腔室与第二交互接口连通；双光子光刻轴突生长支架嵌合于软光刻支撑流道内，双光子光刻轴突生长支架包括贯通双光子光刻轴突生长支架的生长空腔，生长空腔的第一端与第一交互接口连通，第二端与第二交互接口连通；生长空腔包括至少一个上升段，上升段由生长空腔在Z轴方向上变化形成。本申请解决了相关技术中的流道难以实现定向流动条件下神经轴突的三维定向生长的问题。

摘要： 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种定向生长的GeSe2纳米线及其制备方法。具体技术方案为：一种定向生长的GeSe2纳米线的制备方法，在真空环境下，将硒粉和锗粉在进行分别加热的过程中进行化学气相淀积，记得定向生长的GeSe2纳米线；其中，化学气相淀积的生长基底置于锗粉上方。本发明解决了现有技术中GeSe2纳米线制备方法中工艺复杂，前驱体材料昂贵，制备方法所需时间长，反应条件难以控制，可复制性低等问题。

摘要： 本发明涉及一种激光增材制造过程中控制合金晶粒定向生长的方法。一种激光增材制造过程中控制合金晶粒定向生长的方法，包括：选取基材，先对所述基材表面进行激光重熔处理，然后在重熔的表面进行激光增材制造。本发明能使晶粒定向生长，降低杂晶产生概率，减少横向晶界对高温合金的恶劣影响，制备出的构件组织能够按照重熔层的原有晶粒取向外延生长，在低温单一应力以及高温环境下具有更好的力学性能。

摘要： 本申请提供一种茯苓定向生长栽培方法，包括：栽培窖挖掘；松木段入窖：将多根松木段沿栽培窖坡度方向呈斜卧状、以品字形结构排放于栽培窖内；接种处理：以多根松木段的一端面作为接种面，将茯苓菌种接种在多根松木段的接种面；病虫防治：向栽培窖内定点放入杀虫剂；一次覆土；嫁接处理：以多根松木段上远离接种面的一端面为嫁接面，选取新鲜的待嫁接茯苓块进行嫁接；以及二次覆土的步骤。通过使用本申请提供的茯苓定向生长栽培方法，每个栽培单元只生长一个菌核，且菌核个体较大，具有茯苓产量高、品质好、茯苓多糖含量较高、操作简便以及产量稳定的优点。

摘要： 本发明公开了一种优化神经轴突定向生长的生物微流道，涉及细胞培养平台设计领域，包括基体，基体上开设有入口储液罐、出口储液罐和若干个轴突生长单通道，各轴突生长单通道的两端分别连通入口储液罐和出口储液罐，轴突生长单通道的侧壁上开设有若干引流通道，且引流通道的两端分别连通入口储液罐和轴突生长单通道，引流通道的轴线与轴突生长单通道的轴线之间存在夹角。该优化神经轴突定向生长的生物微流道能够优化神经轴突定向生长效果。

摘要： 本实用新型公开了苗木造型设备技术领域的一种苗木造型用枝条定向生长引导装置，包括底板和活动套管，所述活动套管轴承连接的在底板的上的面中心，所述活动套管的内腔设置有螺纹连接的螺杆二，所述螺杆二的顶端面设置有轴承连接的固定套管，所述固定套管的内环设置有螺纹连接的螺杆一，所述螺杆一的外壁套接设置有多组螺纹连接的移动套管，所述移动套管的外壁套接设置有轴承连接的支撑套管，所述支撑套管的底端面设置有铰接的固定装置，本实用新型旨在解决引导装置灵活性差的问题。