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刘承宜; 陈清明; 李再光;
不详;
激光诱导; 电击穿; 辐射时间; 电介质;
机译:激光诱导电击穿的时间量子理论
机译:真空紫外线辐射对有机硅电介质随时间的介电击穿的影响
机译:一种改进的Herman模型,用于预测低k / ULK互连电介质的时间依赖性介电击穿(TDDB)特性从双电压斜坡介电击穿(DVRDB)测试
机译:具有非正交边界的电介质负载系统(包括空间电荷和气态碰撞的影响)的直流电击穿建模和仿真。
机译:内表面等离子体励磁作为激光诱导的周期等离子体结构的根本原因和透明电介质体积的自组织纳米再射形成
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究的Cu /超低k电介质的时间介电击穿失效机理分析及工艺改进
机译:激光诱导透明电介质击穿的实验研究
机译:非共振激光诱导介电击穿改变分子种类的方法
机译:线路(BEOL)时间依赖性介电击穿(TDDB)在集成电路(IC)设备的垂直互连访问(通孔)电平内的依赖性介电击穿(TDDB)缓解
机译:绝缘膜电击穿评估装置和时间间隔绝缘膜电击穿评估装置
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