公开/公告号CN85104006B
专利类型发明专利
公开/公告日1988-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 长春光学精密机械学院;
申请/专利号CN85104006
申请日1985-05-20
分类号C23C14/14;G02B5/20;
代理机构兵器工业部专利代理事务所;
代理人曲博
地址 吉林省长春市1003信箱科研处
入库时间 2022-08-23 08:54:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1990-01-03
被视为撤回的申请
被视为撤回的申请
1988-06-29
审定
审定
1986-01-10
实质审查请求
实质审查请求
1986-01-10
公开
公开
机译: 使用电介质薄膜以及透明导电膜和电介质薄膜的层叠膜的薄膜EL装置
机译: 介电分离型半导体器件,例如绝缘体上硅二极管,包括第一辅助电介质层,该第一辅助电介质层的一部分与主电介质层的第二主表面连接
机译: 低温烧结电介质,多层型电介质,电介质和辅助氧化物的生产方法