电击穿

摘要： 作为一种新兴的环保绝缘气体,七氟异丁腈(C_(4)F_(7)N)因其优异的绝缘性能和远低于六氟化硫(SF_(6))的全球增温潜势引起了研究人员的广泛关注。在C_(4)F_(7)N电子碰撞截面等基础数据不完整的情况下,文中基于气体流注放电判据,提出了C_(4)F_(7)N⁃CO_(2)混合气体有效电离反应系数的计算方法,分析了C_(4)F_(7)N⁃CO_(2)混合气体的临界击穿场强及绝缘性能的变化规律。研究结果表明,当C_(4)F_(7)N气体的热化系数为1.2或1.4时,C_(4)F_(7)N⁃CO_(2)混合气体的临界击穿场强计算值与实验数据吻合较好。此外,C_(4)F_(7)N⁃CO_(2)混合气体临界击穿场强随气体比例的变化曲线均存在明显的非线性特点。当C_(4)F_(7)N含量较低时,混合气体的临界击穿场强随C_(4)F_(7)N含量增加迅速增大,之后则近似呈线性增长趋势。

摘要： “很多科技,发展到一定程度就到达尽头,你无法再超越了,不是你不努力,而是物理规则到达终点了,象硅芯片,精细到1nm就无法再突破了,到达硅的电击穿物理极限了……”新闻年年有,今年特别多,继新冠疫情开始到现在,号称全球医疗水平最强的美国疫情失控,死亡过百万,但美国人民还在为戴与不戴口罩而对薄公堂。

摘要： 利用管式炉中对绝缘垫进行热分解处理,并通过集气装置分步收集所产生的热分解气体;然后利用GC-MS对所收集的热分解气体进行成分及含量的定量分析,确定气体的种类和分解规律。绝缘垫又称为绝缘毯、绝缘橡胶板、绝缘胶板、绝缘橡胶垫、绝缘地胶、绝缘胶皮、绝缘垫片等,具有较大体积电阻率和耐电击穿的胶垫。绝缘垫主要用在高低压开关柜、电气设备、用电设备的场所,用于配电设施地面的铺设,起到绝缘的效果。当处于雨季时,环境湿度大,绝缘防护工作就变得加重要。

摘要： 击穿是在电场作用下绝缘物内部产生破坏性的放电,导致绝缘电阻下降,电流增大,并产生破坏和穿孔的现象。由强电场作用产生的击穿被称为电击穿。

摘要： 为研究岩石孔隙对电脉冲破岩的影响规律,以电脉冲作用下岩石电场强度为评价指标,推导了岩石孔隙电场强度数学模型,建立了电脉冲作用下岩石电场强度二维模拟方法,开展了电脉冲破岩影响规律的数值模拟及实验研究。结果表明:孔隙的存在会引起岩石电场畸变,孔隙与岩石基质交界处的电场强度最大,电脉冲击穿将首先发生在孔隙边缘处;岩石孔隙数量越多、间距越小,电场强度越大;孔径、孔隙形态及方位对岩石电场强度具有重要影响,孔隙与电场线的有效作用面越大,电场强度越大,岩石越容易发生击穿破坏。高孔隙度的砂岩比低孔隙度的大理岩更容易被电击穿,砂岩样本的击穿概率同样随孔隙度的增大而升高。研究成果明确了孔隙对电脉冲破岩的重要影响,对于认识电脉冲破岩机理具有重要意义。

摘要： 为研究岩石孔隙对电脉冲破岩的影响规律,以电脉冲作用下岩石电场强度为评价指标,推导了岩石孔隙电场强度数学模型,建立了电脉冲作用下岩石电场强度二维模拟方法,开展了电脉冲破岩影响规律的数值模拟及实验研究.结果表明:孔隙的存在会引起岩石电场畸变,孔隙与岩石基质交界处的电场强度最大,电脉冲击穿将首先发生在孔隙边缘处;岩石孔隙数量越多、间距越小,电场强度越大;孔径、孔隙形态及方位对岩石电场强度具有重要影响,孔隙与电场线的有效作用面越大,电场强度越大,岩石越容易发生击穿破坏.高孔隙度的砂岩比低孔隙度的大理岩更容易被电击穿,砂岩样本的击穿概率同样随孔隙度的增大而升高.研究成果明确了孔隙对电脉冲破岩的重要影响,对于认识电脉冲破岩机理具有重要意义.

摘要： CO_(2)气体作为潜在的SF_(6)替代气体,近年来受到了业界的广泛关注,电击穿特性是评估其性能的关键指标。文中基于气体流注放电判据,推导出了计算击穿电压和临界电子温度的数学表达式,建立了描述CO_(2)与O_(2)混合气体电击穿的宏观变量(击穿电压、击穿电场与压力比)与基本微观变量(临界电子温度)之间的关系,从微观层面研究了混合气体在不同压力和电极间距下的电击穿特性。结果表明,随压力与电极间距乘积值增大,临界电子温度先迅速减小,而后趋于一定值;CO_(2)-O_(2)混合气体的临界电子温度随CO_(2)体积分数增大而明显减小,并表现出较明显的协同效应,纯CO_(2)的临界电子温度约为2.34 eV,约为纯O_(2)(3.54 eV)的66.1%,在CO_(2)中加入一定比例O_(2)能有效提高其电击穿特性。此外,通过文中CO_(2)-O_(2)混合气体击穿电场与压力比的计算值与文献实验值对比,验证了文中计算方法与参数选取的有效性。

摘要： 以低密度聚乙烯(LDPE)为聚合物基体,通过熔融共混的方式填充不同粒径的纳米SiO2无机颗粒,制备纳米SiO2/LDPE复合材料,研究提高聚乙烯电绝缘性能的纳米改性方法和机制.利用SEM表征纳米SiO2在LDPE基体中的微观形态和分散程度,采用DSC和偏光显微镜(PLM)分析纳米SiO2对LDPE基体结晶度和结晶形态的影响,通过热刺激电流法(TSC)分析纳米SiO2/LDPE复合材料的陷阱密度和陷阱能级,并结合电击穿的Weibull分布研究纳米复合材料的击穿机制.研究结果表明:纳米SiO2填充可以改变复合材料结晶度,进而增加LDPE基体本征结构缺陷和陷阱密度,同时填充纳米SiO2颗粒可引入比LDPE基体本征陷阱更深的陷阱能级,纳米SiO2填充颗粒引入的陷阱能级深度随着复合材料结晶度的增加而先增大后减小,填充浓度3w t％ 时可最有效地通过俘获载流子而抑制电击穿过程,纳米SiO2/LDPE复合材料的击穿场强达到最高值.与60 nm SiO2颗粒相比,30 nm SiO2填充颗粒具有更高的比表面积,界面电极化导致更高的介电常数,更高密度的纳米界面深陷阱态对于提高电击穿场强更有效.当填充浓度为5w t％ 时,纳米颗粒的团聚作用导致纳米复合材料的击穿强度降低.基于电双层理论提出了电子捕捉模型和界面结构模型,合理阐释了纳米SiO2/LDPE复合材料的微观陷阱特性及宏观电击穿机制.

摘要： 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.

摘要： 采用旋涂法制备了高质量的聚酰亚胺薄膜,研究了薄膜厚度与旋涂转速之间的关系;对不同厚度的旋涂薄膜进行了电击穿实验,探讨了膜厚对击穿性能的影响.结果表明:聚酰亚胺薄膜的厚度与旋转速度平方根的倒数(ω-1/2)呈线性正相关,通过控制转速可获得不同膜厚;薄膜越厚,击穿电压越高,但其平均击穿强度越低.在280°C的亚胺化条件下,旋涂薄膜的最高击穿电压为2370 V,最大击穿场强为286.33 kV/mm,可满足大多数微系统对绝缘性能的要求.

摘要： 研究不同参数(电压峰值、脉宽、频率)组合的陡脉冲电场致正常兔肝组织细胞不可逆性电击穿范围(即杀伤面积)的量效关系.每次实验施加不同参数组合的陡脉冲10分钟,测量杀伤面积,并绘制关系曲线.结果发现:不同参数组合的陡脉冲对杀伤面积有较大的影响,随着参数值的增大,杀伤面积增大,但存在一定的饱和趋势.

摘要： 随着微小卫星的研究,基于MEMS的微胶体推进器的研究也受到科技工作者的重视。本文对微胶体推进器电极设计中的电场分析和电击穿问题进行了研究。结果表明,以重量比10:3掺杂NaI的甲酰胺溶液为推进工质,源极的起动电场大约为107v/m,在设计的尺度范围内,这一要求是较容易满足的。尽管由于ICP长时间刻蚀源极表面有很大的突起,但电击穿问题在高真空条件下不会影响到两极间电压加到7000V。

摘要： 本文介绍了77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺/蒙脱土、聚酰亚胺/云母、聚酰亚胺/SiO2三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺/蒙脱土电气强度最佳可达215.77kV/mm;对于聚酰亚胺/SiO2系列,电气强度比纯PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.

摘要： 通过对失效三极管3DG182J开帽后芯片烧毁形貌分析、电性能测试、使用电路分析,推断器件失效的原因,并通过搭建电路进行计算试验,确认器件失效原因,找出避免3DG182J的失效的解决办法.

摘要： 通过对失效三极管3DG182J开帽后芯片烧毁形貌分析、电性能测试、使用电路分析,推断器件失效的原因,并通过搭建电路进行计算试验,确认器件失效原因,找出避免3DG182J的失效的解决办法.

摘要： 通过对失效三极管3DG182J开帽后芯片烧毁形貌分析、电性能测试、使用电路分析,推断器件失效的原因,并通过搭建电路进行计算试验,确认器件失效原因,找出避免3DG182J的失效的解决办法.

摘要： 通过对失效三极管3DG182J开帽后芯片烧毁形貌分析、电性能测试、使用电路分析,推断器件失效的原因,并通过搭建电路进行计算试验,确认器件失效原因,找出避免3DG182J的失效的解决办法.

摘要： 四月三十日蔺河口水电站电气设备遭受雷电冲击。110KV母线保护动作，稳控装置动作，引起当时正在运行的3#机组事故停机，蔺金线开关跳闸，全厂用电消失。本文介绍了雷击放电的机理，阐述了蔺河口电站环境下电站和线路遭遇落雷的可能次数和电气设备受过电压后可能引起的损坏，提出全站设备防雷电的加强措施。

摘要： 四月三十日蔺河口水电站电气设备遭受雷电冲击。110KV母线保护动作，稳控装置动作，引起当时正在运行的3#机组事故停机，蔺金线开关跳闸，全厂用电消失。本文介绍了雷击放电的机理，阐述了蔺河口电站环境下电站和线路遭遇落雷的可能次数和电气设备受过电压后可能引起的损坏，提出全站设备防雷电的加强措施。

摘要： 四月三十日蔺河口水电站电气设备遭受雷电冲击。110KV母线保护动作，稳控装置动作，引起当时正在运行的3#机组事故停机，蔺金线开关跳闸，全厂用电消失。本文介绍了雷击放电的机理，阐述了蔺河口电站环境下电站和线路遭遇落雷的可能次数和电气设备受过电压后可能引起的损坏，提出全站设备防雷电的加强措施。

摘要： 本实用新型公开了一种基于臭氧消毒的防击穿型电击装置，包括外壳，所述外壳的内部设置有电极杆，所述电极杆的一端连接有第一端盖，所述电极杆贯穿第一端盖的一端设置有电极连接头，所述电极连接头连接有导线，所述电极连接头的外侧套设有绝缘套，所述绝缘套为陶瓷制成。陶瓷材质的绝缘套相较于橡胶材质的保护套，强度更高，同时也更耐高温，因此其稳定性也强于橡胶材质的保护套，安全性更高。

摘要： 在电力传输网络特别是高压直流(HVDC)电力传输网络的领域中，提供了电气组件(10)。电气组件(10)包括转换器(12)，转换器(12)包括：至少一个AC端子(14A、14B、14C)，其用于连接到AC网络(16)；和至少一个DC端子(18、22)，其可操作地连接到DC电力传输介质(20、24)。电气组件(10)还包括信号注入电路(32)，信号注入电路(32)与至少一个DC电力传输介质(20、24)可操作地耦合。信号注入电路(32)包括信号发生器(38)，信号发生器(38)用以选择性地将多个不同频率的信号注入到所述至少一个传输介质(20、24)中。另外，信号注入电路(32)包括信号分析器(42)，信号分析器(42)用以建立所述至少一个传输介质(20、24)针对多个不同频率的注入信号的响应特征。信号注入电路(32)还包括控制单元(46)，控制单元(46)被编程为检测所述至少一个传输介质(20、24)中的介电击穿。更特别地，控制单元(46)被编程为控制信号发生器(38)以将多个不同频率的信号注入到所述传输介质(20、24)中，从信号分析器(42)检索所述传输介质(20、24)的对应的响应特征，并且将响应特征和对应于所述传输介质中的介电击穿状况和非击穿状况的多个参考特征(20、24)进行比较。

摘要： 本发明公开了一种采用流注先导理论计算断路器弧后电击穿临界电压的方法，通过建立断路器开断过程中的气体电弧的磁流体动力学仿真模型，计算灭弧室内部弧后某一时刻的温度和压强分布；得到电子能量分布函数，确定不同温度和不同压强下不同气体介质的临界击穿场强；将灭弧室内部弧后某一时刻的温度和压强分布与临界击穿场强，线性差值得到灭弧室内部临界击穿场强分布；计算弧后某一时刻灭弧室内部静电场分布；判断灭弧室内部容易发生弧后电击穿部位，选取断路器灭弧室内部动静触头之间目标路径；根据流注和先导起始判据，计算断路器弧后电击穿临界电压。该方法对弧后介质强度恢复和电弧重燃情况做出评估，适用于不同结构、不同电压等级的断路器。

摘要： 本申请涉及一种软介电材料的介电击穿电场强度和介电系数的测量系统，包括驱动机构、介电系数测量模块和击穿电场强度测量模块；击穿电场强度测量模块包括变压器、数据采集卡、俯视拍摄相机；测量过程中数据采集卡向变压器输入低电压，经过变压器放大为高电压，将高电压接入软介电材料形成回路电流，将回路电流峰值对应的电压作为介电击穿电压；通过俯视拍摄相机记录的电极面积的变化确定薄膜厚度的变化；根据介电击穿电压和薄膜厚度的变化，确定介电击穿电场强度；介电系数测量模块包括LCR表和俯视拍摄相机；通过LCR表测量两个电极之间的电容；通过俯视拍摄相机记录测量过程中电极面积的变化；通过电容和电极面积的变化，确定介电系数。

摘要： 本发明属于存储器技术领域，具体的说是一种适用于USB3.0接口的防静电击穿的快速存储器，包括外壳；所述外壳内部固接有储存组件；所述外壳一侧设有USB3.0的接口，且接口与储存组件连接；所述外壳上侧开设有散热口；所述散热口内部转动连接有离子风扇，且离子风扇包括转轮和扇叶；所述外壳内部设有动力组件，且离子风扇由动力组件驱动；通过设置USB3.0的接口，能够提高存储器的传输效率，存储器在通电时动力组件驱动离子风扇进行转动，一方面可以对外壳内部的储存组件进行散热，提高存储器工作时的散热效率，另一方面离子风扇转动时可以中和外壳携带的静电，从而将静电消除，避免储存组件被静电击穿的问题，延长存储器的使用寿命。

摘要： 本发明涉及电击穿测试技术领域，具体为一种绝缘套电击穿测试装置，包括恒温箱，恒温箱内放置有测试平台，测试平台的上方设有绝缘套，绝缘套的内部设有高压电极，绝缘套的外壁抵接设有地电极，高压电极的底端固定连接有电极柱，绝缘套内活动套设有导电发条，导电发条为水平放置的卷紧片状结构，导电发条的内侧端与电极柱固定连接，且导电发条的最外层与绝缘套的内壁抵接，测试平台上设有驱动导电发条收紧的收紧机构。本发明通过收紧机构收紧导电发条，使得导电发条可以套入不同内径的绝缘套内，撤去收紧机构的收紧作用后，导电发条释放弹性势能并与绝缘套的内壁挤压抵接，适用于多组内径差异较大的绝缘套的电击穿测试。

摘要： 本实用新型涉及显示屏保护技术领域，且公开了具有防静电击穿的超扭曲向列液晶显示屏，包括顶部开设有通风槽的保护壳，所述保护壳的表面开设有用于对限位板进行安装的安装槽，所述限位板的一侧开设有用于对显示屏进行安装的限位槽，所述限位板一侧位于限位槽的上方和下方均固定连接有用于导电的铜条，所述保护壳的外表面螺纹连接有用于保护的挡板。该具有防静电击穿的超扭曲向列液晶显示屏，通过限位板的设置，可以对显示屏的两侧进行保护，避免因直接触碰到显示屏的边缘而对显示屏造成损坏，通过铜条的设置，可以在接触到限位板时，将双手携带的静电进行吸收，从而避免静电直接输送给显示屏，从而对显示屏进行保护。

摘要： 本实用新型公开了一种具有防静电击穿机构的显卡，包括显卡本体，所述显卡本体顶部安装有离子风扇，所述显卡本体顶部涂覆有防静电涂层组件，所述显卡本体底部安装有静电导出组件，所述显卡本体一侧安装有静电抑制器，本实用新型离子风扇作为主风扇，在散热的同时，具有出众的除静电性能，防止静电污染及破坏，通过触摸防护组件的触摸棒，在手指接触触摸棒时，一方面能够实现与显卡的间接接触，另一方面能够将手指上携带的静电与显卡之间隔绝，静电导出组件的防静电PVC板和防静电尼龙板，可以有效地阻隔静电和电弧，防止静电和电弧对显卡的表面造成破坏，同时通过金属丝和电阻的作用，可以有效地进行引流。

摘要： 本实用新型涉及检测设备技术领域，且公开了一种用于模拟高压电击穿玻璃胶设备,包括机体，所述的机体设置有操作室,操作室装配有固定杆，操作室装配有电机,电机装配有丝杆,固定杆和丝杆装配有活动块,活动块装配有支撑板，支撑板装配有固定板,固定板装配有伸缩弹簧，伸缩弹簧装配有拉板，拉板装配有卡杆,卡杆与固定板装配，卡杆装配有抽拉盖,支撑板放置有挡块,挡块设置有固定孔,卡杆与固定孔卡接，挡块装配有装配块,装配块设置有装配槽，挡块装配有密封圈,上述一种用于模拟高压电击穿玻璃胶设备通过卡杆与挡块的配合解决现有的高压电产生的高温容易造成玻璃胶熔化，使其附着在机体表面，造成难以处理的问题。

摘要： 本实用新型公开了一种增强PIN二极管抗静电击穿能力的结构，包括自下而上依次叠设的GaAs衬底、第一N‑GaAs层和N型半导体层，和形成于N型半导体层上呈间隔设置的两个PIN结构，以及形成于PIN结构上且与PIN结构欧姆接触的第一金属层，N型半导体层为N‑InGaAs层。本实用新型使得PIN之间的连接区域电阻率减小，增强PIN二极管抗静电击穿能力。