P-N结太阳电池暗特性的数值分析

摘要

以GaAs/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线影响的基本规律.研究结果表明,串联电阻的变化对开启电压没有影响,而随串联电阻的增大,在正向电压高于开启电压的范围内暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线斜率减小;在正向电压低于开启电压范围内Ⅰ-Ⅴ特性曲线斜率随并联电阻的减小逐渐增大并接近纯电阻电路的Ⅰ-Ⅴ特性;随二极管反向饱和电流的增大,P-N结的开启电压明显减小,而随品质因子的增大开启电压基本不变.