Au/SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备

摘要

室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜,并分不同温度进行退火处理.1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70 nm)的Au纳米点,从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板,然后,将Au催化剂模板在1 100℃下退火处理,生成纳米线,SEM和TEM测试,制备的SiO2纳米线直径约为100 nm,长度约为4μm,表面光滑,直且粗细均匀.