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MBE系统中GaAs样品的RHEED分析

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本文根据在调试分子束外延(MBE)系统过程中,使用反射式高能电子衍射(RHEED)对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析,从而总结出在MBE外延生长实验中对采用的GaAs样品的化学清洗方法.

著录项

来源
《现代机械》 |2009年第3期|77-78|共2页
作者
黄旭; 潘金福; 王云; 周勋; 丁召;
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作者单位

贵州大学理学院,贵州,贵阳,550003;

贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类实验方法与实验设备;
关键词
分子束外延(MBE); 反射式高能电子衍射(RHEED); GaAs; 样品清洗;

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