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SiGw/MoSi2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究

         

摘要

采用"化学炉"自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体.通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须.XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6.研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化,指出"化学炉"自蔓延合成SiCw/MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应:①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2;②Si3N4与C反应生成SiC和N2.

著录项

  • 来源
    《矿冶工程》 |2008年第4期|98-100|共3页
  • 作者单位

    湖南科技大学先进材料制备与应用技术研究所;

    湖南;

    湘潭;

    411201;

    中国科学院上海硅酸盐研究所;

    上海;

    200050;

    湖南科技大学先进材料制备与应用技术研究所;

    湖南;

    湘潭;

    411201;

    中国科学院上海硅酸盐研究所;

    上海;

    200050;

    中国科学院上海硅酸盐研究所;

    上海;

    200050;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TB33.3;
  • 关键词

    MoSi2; SiC晶须; "化学炉"自蔓延高温合成; 原位复合;

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