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王荣; 尚士奇; 等;
辽宁大学电子系;
沈阳110036;
场板; 场限制环; 半导体二板管; P+N结; 击穿特性;
机译:通过结合保护环辅助场限制环和内部环来改善SiC肖特基势垒二极管的击穿电压特性
机译:用于优化SiC肖特基势垒二极管击穿电压特性的边缘终端场板氧化物刻蚀角的研究
机译:具有单个场限制环的平面设备的击穿电压
机译:具有方向性击穿的金属/氢化非晶硅/晶体硅异质结构:一种低成本,高密度的PROM二极管阵列方法。
机译:具有局部击穿导电通道的高性能平面型InGaN基发光二极管
机译:使用栅极板,源场板和排水场板仿真AlGaN / GaN Hemts'击穿电压增强
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性
机译:沟槽MOSFET与具有沟槽场板终端的夹紧二极管集成,以避免击穿电压劣化
机译:半导体组件即MOSFET具有与场板电连接并与漂移距离互补形成的浮动掺杂区,其中场板与场板电压限制结构耦合
机译:具有电晕电阻放电特性并具有击穿电压特性的电绝缘板
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