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李龙; 靳晓诗; 韩贤雨;
沈阳工业大学信息科学与工程学院;
主辅栅; U形沟道; 短沟道效应; 肖特基势垒;
机译:具有高k /金属栅叠层的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子电子散射诱导沟道热电子注入
机译:沟道迁移率超过100cm〜2 /(Vs)的GaN基沟道栅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:无结栅全环绕场效应晶体管的硅和III-V沟道材料的性能分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:合成与均苯四甲二酰亚胺类聚合物与C和N主链链接的表征:矩阵的可溶液处理的n沟道场效应晶体管
机译:高性能n沟道场效应晶体管的受主-受主型异靛蓝共聚物
机译:蓝宝石绝缘栅场效应晶体管(IGFET)上N沟道硅的电子辐照
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译:具有绝缘栅场效应晶体管和与绝缘栅场效应晶体管的沟道区间隔开的阱的半导体器件
机译:具有LDD结构的绝缘栅场效应晶体管及其制造方法,包括具有峰值杂质浓度的沟道截止,该沟道截止设置在沟道区下方
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