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半导体金刚石膜的磁阻效应

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摘要

研究了在硅上P型异质外延金刚石膜的磁阻效应.实验结果表明金刚石膜有显著的磁阻反应,并与磁阻器件的结构有关.在室温下圆盘形结构的磁阻相对变化在5T磁场下约为0.85,而长条形结构只有0.40.

著录项

来源
《微细加工技术》 |2000年第1期|75-78|共4页
作者
廖克俊; 王万录; 王必本;
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作者单位

重庆大学应用物理系,重庆400044;

重庆大学应用物理系,重庆400044;

重庆大学应用物理系,重庆400044;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
金刚石薄膜 ; 磁阻效应 ; CVD ;

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