磁阻效应

摘要： 本文基于电子密度泛函理论计算和非平衡态格林函数技术研究了具有三明治结构的磁性隧道结构(非极化SrTiO_(3)薄层被夹在两个赫斯勒合金Co_(2) MnSi电极之间)的自旋极化输运特性.理论计算结果清楚地表明磁平行组态的磁性隧道结呈现出几乎完美的自旋过滤效应.磁反平行组态的隧穿系数比磁平行组态的隧穿系数小几个数量级,导致体系的磁阻比高达10^(6).电子结构计算分析表明该磁性隧道结的巨磁阻效应源自赫斯勒合金Co_(2)MnSi电极内在的半金属性、以及阻挡层和电极之间界面处过渡金属原子3d电子的显著自旋极化.

摘要： 针对无刷双馈电机谐波大,效率低的问题,基于齿谐波原理和不等匝绕组理论,提出一种基于混合式转子结构的多跨距复合式的无刷双馈发电机转子设计方案,这一具有磁阻效应的混合式转子绕组结构能有效的提高转子导体利用率,提高无刷双馈电机功率绕组的输出功率,并能显著降低与无刷双馈电机两种主要基波极对数相近的谐波含量,对于降低无刷双馈电机绕组谐波含量提高整机效率提供了参考.最后以一台450 kW电机为例具体介绍了多跨距复合式转子绕组的设计方法,并通过建立有限元模型进行具体分析,通过与双正弦绕组的无刷双馈电机在磁场分布,气隙磁密谐波情况及电机输出功率的对比分析,结果表明多跨距复合式转子结构的无刷双馈电机具有良好的整机性能.

摘要： 在新型量子材料中,具有特殊能带结构的拓扑材料也兼具新奇电子输运特性。相关研究不仅可以加深对于拓扑物态的理解,更有望推动新型高性能电子学器件的发展。一个典型的代表是目前引起广泛关注的外尔半金属体系,其输运研究往往表现出超大非饱和磁阻、平行磁场下的负磁阻效应、平面霍尔效应等诸多特性,而表面外尔弧更是提供了高迁移率和低功耗的电子学通道。

摘要： TDK致力于开发各种各样的传感器,并将其作为"吸引未来(Attracting Tomorrow)"技术之一。可测量微弱生物磁场的高灵敏度磁性传感器也是其中一种。其有望为当前心电图仪所无法发现的腹中胎儿心脏病、难以早期发现的缺血性心脏病等疑难杂症带来解决方案。TDK在HDD磁头制造过程中积累了自旋电子学技术,并通过该技术开发了MR(磁阻效应)器件技术。

摘要： 为了研究磁致伸缩/压阻块状复合材料的磁阻性能,采用Terfenol-D磁致伸缩材料和单晶硅压阻材料层状复合,制备了复合磁阻材料.使用霍尔测试系统在不同磁场下测试了因磁致伸缩材料形变而产生的应变传递给压阻材料、引起压阻材料体电阻率的变化.此外,为了测得更灵敏的体电阻率变化,在单晶硅片上溅射一层200 nm的钽薄膜,测试了因硅片的应变传递给钽薄膜时薄膜的电阻率变化.结果表明:1)采用Terfenol-D/单晶硅层状复合制备出的磁阻复合材料在0～0.40 T磁场变化时,电阻率变化为0.13％;2)采用Terfenol-D/单晶硅/钽薄膜层状复合制备出的磁阻复合材料在0～0.01 T磁场变化时,电阻率变化达到0.03％.结论:将磁致伸缩材料和压阻块材料复合在一起能成功制备出一种高性能的磁阻材料.

摘要： 大学物理和大学物理实验是两门深度融合的课程,本文探讨了霍尔效应和磁阻效应这两个现代物理学的研究和应用热点在两门课程中进行融合教学的方法,提出了理论上融合、实验上融合、理论与实验互相融合的教学内容.

摘要： We experimentally investigated the thickness-dependent magnetoresistance properties of InSb films in the temperature range of 12 ～300 K.The samples were grown on semi-insulating GaAs (100) substrates by molecular beam epitaxy (MBE).It was observed that the thick InSb only can show the semi-classical B2 dependence magnetoresistance resulted from the Lorentz deflection of carriers.At the same time,we found that weak antilocalization (WAL) effect can be much enhanced by reducing the sample's thickness (with the thickness ～ 0.1 μm).The thin sample's WAL magnetoresistance plot can be well fitted by Hikan-Larkin-Nagaoka (HLN) model,which demonstrates that the obseved WAL effect for thin InSb is with a 2-dimension character,which can be associated with the surface/interface states of InSb.%在12 ～300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(oB2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(＜35 K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.

摘要： 非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景.主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型.最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望.%Magnetoresistance (MR) effects in non-magnetic semiconductors attract lots of attentions because of its great research significance and potential applications in magnetic sensors,high density storage and so forth.In this paper,several typical physical models such as space-charge effect model,nano-inhomogeneous model,diode-assisted geometry enhanced model,carriers recombination model,and avalanche breakdown model are summarized.Finally,the MR effects based on avalanche breakdown of nonmagnetic semiconductors are analyzed and forecasted.

摘要： 声表面波(SAW)无线无源电流传感器具有高灵敏度、高分辨率与良好稳定性能等优点,在智能电网线路检测、工业自动化中电力继保等领域具有广泛的应用前景.论文利用反射型延迟线结构声表面波器件在无源无线检测中对负载变化的响应机理与特点,结合磁敏电阻元件对电流产生磁场的响应特性,对传感器响应机理特性进行理论分析,并设计实现声表面波电流传感器器件结构.

摘要： 具钙钛矿结构之氧化物如La-Sr-Mn-O(LSMO)、La-Ca-Mn-O(LCMO)、La-Ba-Mn-O(LBMO)等，因此类材料具有巨磁阻效应故可应用在磁记录媒体、磁阻式换能器及感测器等方面。其中斓鳃锰氧化物(LSMO)在室温具有强磁性且电阻率低，故也被尝试应用在吸收电磁波之涂层.本研究制备三组不同填允率(50、60及70wt.％)之镧锣锰氧化物.环氧树脂复合材料，并检测LSMO复合材料之电磁参数：此外也应用传输线理论所建立之电磁波吸收材料与吸收性能之数学模式，计算具固定吸收剂比率之LSMO复合材料，其厚度(1～5 mm)对电磁波吸收性能之影响。实验结果显示，不论样品吸收剂填充率的程度为何，当LSMO复合材料的厚度达2 mm以上时，样品才具有吸波特性；此外随厚度增加具最大反射损耗特性之中心频率也随之往低频偏移。当复合材料样品的填充率为60wt.％、厚度为4 mm时具有最佳的吸波效能，其反射损耗高达.27.7 dB、中心频率则位於7.12 GHz、在-10 dB下之吸波频宽则为2.74 GHz。

摘要： 稀土金属间化合物Gd5(SixGe4-x)(0≤x≤2)发现存在巨磁热效应,巨磁阻效应、巨磁致伸缩效应,在一种材料中发现3种巨磁效应是极为罕见的.普遍认为这些异常的磁效应与它特殊的磁-结构相变有关:磁相变与结构相变紧密地耦合在一起.外加磁场、压力、温度等因素都能触发这种磁-结构相变,而且它的磁-结构相变在很宽的温度范围内(20K～300K)可调.在开发新一代宽温区、高性能磁传感器和磁致动器上表现出极好的应用前景.本文将介绍磁敏感材料Gd5(SixGe4-x)一系列异常效应的物理本质、影响因素与可能的应用如:巨磁阻效应、巨磁致伸缩效应等.

摘要： 对锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件施加偏置磁场,同时,用红光LED照射此磁阻元件,使磁场方向与入射光方向平行,并使二者均保持与磁阻元件的表面相垂直,该系统构成半导体磁阻式光电传感器.实验表明,这种光电传感器的输出电压与驱动LED的输入脉冲频率、偏置磁场的磁感应强度大小两个因素都有关.继而结合实验结果,对它们之间的关系从理论上进行了分析,其原因可归结为半导体材料的磁阻效应,即磁场的存在使半导体材料受光照射时内部光生载流子的运动方向发生偏转而引起的结果.

摘要： 本文研制的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高,频率响应宽.经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB.这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等.

摘要： 从待测磁场的频率特性出发，比较了超导SQUID磁强计、感应线圈磁强计、磁通门磁强计、霍尔传感器、各向异性磁阻传感器、巨磁阻抗磁传感器和核磁共振测场仪七种磁场测量仪器的特点、发展现状和应用前景，重点分析了核磁共振测场仪，总结了上述仪器的优缺点并对其发展前景和方向做出展望。

摘要： 从待测磁场的频率特性出发，比较了超导SQUID磁强计、感应线圈磁强计、磁通门磁强计、霍尔传感器、各向异性磁阻传感器、巨磁阻抗磁传感器和核磁共振测场仪七种磁场测量仪器的特点、发展现状和应用前景，重点分析了核磁共振测场仪，总结了上述仪器的优缺点并对其发展前景和方向做出展望。

摘要： 从待测磁场的频率特性出发，比较了超导SQUID磁强计、感应线圈磁强计、磁通门磁强计、霍尔传感器、各向异性磁阻传感器、巨磁阻抗磁传感器和核磁共振测场仪七种磁场测量仪器的特点、发展现状和应用前景，重点分析了核磁共振测场仪，总结了上述仪器的优缺点并对其发展前景和方向做出展望。

摘要： 从待测磁场的频率特性出发，比较了超导SQUID磁强计、感应线圈磁强计、磁通门磁强计、霍尔传感器、各向异性磁阻传感器、巨磁阻抗磁传感器和核磁共振测场仪七种磁场测量仪器的特点、发展现状和应用前景，重点分析了核磁共振测场仪，总结了上述仪器的优缺点并对其发展前景和方向做出展望。

摘要： 从待测磁场的频率特性出发，比较了超导SQUID磁强计、感应线圈磁强计、磁通门磁强计、霍尔传感器、各向异性磁阻传感器、巨磁阻抗磁传感器和核磁共振测场仪七种磁场测量仪器的特点、发展现状和应用前景，重点分析了核磁共振测场仪，总结了上述仪器的优缺点并对其发展前景和方向做出展望。

摘要： 在本发明中，作为所谓的CPP－GMR元件的非磁性层，使用了以电阻率在4μΩ.cm以上200μΩ.cm以下的金属为主要成分的薄膜。此元件即使在面积受限制时，其电阻也不会过高。所以，即使在很窄的磁缝中也能获得大的输出。

摘要： 本发明提供一种磁化旋转元件。该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线；以及第一铁磁性层，其相对于所述自旋轨道转矩配线位于第一方向，并且从所述自旋轨道转矩配线被注入自旋，所述自旋轨道转矩配线在所述第一方向具有：多个自旋产生层、和位于所述多个自旋产生层之间的插入层，所述插入层的电阻率比所述自旋产生层低。

摘要： 本发明提供一种TMR元件，该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17)，磁隧道接合元件部具有：参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(5)、以及层叠于磁化自由层的与隧道势垒层侧相反侧的盖层(9)，侧壁部含有绝缘材料，具有覆盖磁隧道接合元件部的参照层、隧道势垒层、磁化自由层、及盖层中的至少一个侧面的第一区域(R1)，第一区域含有构成磁隧道接合元件部的参照层，隧道势垒层，磁化自由层，及盖层中的至少一个层的元素(除氧以外)中的至少一种作为含有元素。

摘要： 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。

摘要： 本发明的目的在于，在磁阻效应元件单元(1)中减少每个各向异性磁阻效应元件(2)的复位电压。磁阻效应元件单元(1)包括：各向异性磁阻效应元件(2)；以及导体的复位线(3)，在与各向异性磁阻效应元件(2)的磁感应方向x'及易磁化方向y'双方正交的方向观察，该导体的复位线(3)通过各向异性磁阻效应元件(2)的中心，以与易磁化方向y'成45度角以下的角度从易磁化方向y'向倾斜的方向延伸，并与包含磁感应方向x'及易磁化方向y'的平面平行。在与磁感应方向x'及易磁化方向y'双方正交的方向观察，复位线(3)具有覆盖整个各向异性磁阻效应元件(2)的宽度。

摘要： 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α－Fe2O3膜。多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。

摘要： 在依次层叠有铁磁性固定层、铁磁性自由层以及保护层的磁阻效应元件中，能够不损害作为磁传感器的功能而更高效地进行磁阻效应元件上的磁场的检测。作为方法，形成GMR层叠膜，该GMR层叠膜具备铁磁性自由层以及形成在铁磁性自由层上、保护铁磁性自由层不受氧化等影响的保护层。在此，由氧化物反铁磁性体构成保护层，且以10nm以下的膜厚形成保护层。

摘要： 本发明涉及一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。根据一实施方式，磁阻效应元件的制造方法包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。

摘要： 本发明的目的在于，在磁阻效应元件单元(1)中减少每个各向异性磁阻效应元件(2)的复位电压。磁阻效应元件单元(1)包括：各向异性磁阻效应元件(2)；以及导体的复位线(3)，在与各向异性磁阻效应元件(2)的磁感应方向x'及易磁化方向y'双方正交的方向观察，该导体的复位线(3)通过各向异性磁阻效应元件(2)的中心，以与易磁化方向y'成45度角以下的角度从易磁化方向y'向倾斜的方向延伸，并与包含磁感应方向x'及易磁化方向y'的平面平行。在与磁感应方向x'及易磁化方向y'双方正交的方向观察，复位线(3)具有覆盖整个各向异性磁阻效应元件(2)的宽度。

摘要： 本发明提供一种磁阻效应装置(1000)，其具备：具有第1铁磁性层(102)、第2铁磁性层(104)和第1间隔层(103)的第1磁阻效应元件(101)、金属层(111)、第1电极(107)、输入端子(108)、输出端子(109)和基准电位端子(110)，所述第1铁磁性层、所述第1间隔层、所述第2铁磁性层和所述第1电极以该顺序被配置，所述第2铁磁性层与所述第1电极电接触，所述第1电极被连接于输出高频信号的输出端子，所述金属层以从所述输入端子流到所述金属层的高频信号流到所述基准电位端子的方式被连接于所述输入端子和所述基准电位端子，所述第1铁磁性层与所述基准电位端子电接触，具备用于将直流电流或直流电压施加于所述第1磁阻效应元件的施加端子(106)。