ISV86 Schottky二极管结半径与反向漏电之间的关系

摘要

本文介绍了ＩＳＶ８６ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Ｓｃｈｏｔｔｋｙ终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因，推算了无保护环Ｓｈｏｔｔｋｙ二极管终端结半径与其Ｉ－Ｖ特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进行了模拟，模拟结论有效的指导了ＩＳＶ８６的开发，使ＩＳＶ８６电性能在满足国外同类产品要求的同时，反向漏电降低了一个数量级。