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史超;
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051;
金刚石; 超宽禁带; 晶体生长; 掺杂; 功率电子器件;
机译:金刚石半导体器件的可能性。不使用激光进行晶片形成的新技术。rn金刚石器件优势的验证。
机译:基于Si(CC)(4)的单晶半导体:用于紫外光电导器件的类金刚石超轻和超柔性宽带隙材料
机译:半导体金刚石作为毫米波和太赫兹IMPATT器件基础材料的潜力
机译:1938年10月28日至29日,对富兰克林研究所旋转翼飞机会议进行的重要重新审查:事实和神话围绕着美欧Autogiro / Convertiplane / Helicopter发展的基础
机译:用于表面声波器件的氧化锌/金刚石/硅结构的材料和器件建模。
机译:用于汽车和节能应用的功率电子半导体材料-SiCGaNGa2O3和金刚石
机译:开发半导体器件的接触材料。 P型半导体金刚石的肖特基触点的电气性能。
机译:半导体的红外应用 - 材料,加工和器件。研讨会于1996年12月2日至5日在美国马萨诸塞州波士顿举行,第450卷
机译:含有石墨化膜的防火材料[优先权]申请,“含有石墨化膜的防火材料(FIREBARRIERPROTECTIONCOMPRISINGGRAPHITEFILMS)”,2008年3月14日发明名称(美国临时申请第61 / 069,528号)申请日为2008年9月19日的申请(“包含石墨化膜的防火材料(FIREBARRIERPROTECTIONCOMPRISINGGRAPHITEFILMS发明名称)”美国临时申请第61 / 192,636号和美国临时申请号)。这些申请通过引用整体并入本文。
机译:使用反馈增强型发光二极管的显示装置<相关申请书>长期以来的期望安装)对该文件的坚持美国临时申请2002年5月8日第60 / 379,141号申请(全部)长期以来的愿望是,以美国专利申请号命名的2003年5月8日申请的“反馈增强型发光器件(FEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDEVICE)”,并且“使用反馈增强型发光二极管来照明”。其中,2003年5月8日提交的(LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE)(美国专利申请号为(对于这些申请,已安装在本文档中))与引用全部相关。
机译:折反射投影物镜本申请,2004年1月14日至2004年7月14日提交的美国临时专利申请第60/587号和2004年7月14日提交的美国临时专利申请第60 / 536,248号以及美国临时专利。 2004年10月13日504号美国临时专利申请(2004年7月27日提交)的第60 / 591,775号美国临时专利申请我要求美国60 //临时专利申请的优先权第24个月提交了612,823。美国临时专利申请的公开所有这些构成了本申请的描述的一部分。
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