常压CVD法制备Si—N—O薄膜及其电性能

摘要

本文利用常压ＣＶＤ设备在较低温度下制备得到了Ｓｉ－Ｎ－Ｏ薄膜，探讨了反应温度，反应时间，ＮＨ３中杂质水汽薄膜生成的影响。制得的薄膜具有较大的体积电阻。