常压CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的性能研究

摘要

以C4 H4 SnCl3和SbCl3为反应先驱体,采用常压化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征.XRD结果表明薄膜具有四方相金红石晶型结构,在基板温度为650℃时能制得结晶性能较好的多晶薄膜;XPS结果表明元素Sb主要以Sb5+的形式掺杂于SnO2薄膜中.还讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率等薄膜性质的影响.结果表明,当Sb掺杂量为2％,基板温度为600℃,镀膜时间为4 min时可制备出可见光透过率为75％、红外透过率仅为30％的薄膜,且此时薄膜方块电阻为38.4 Ω/□.