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张鲁龄; 魏钦华; 秦来顺; 史宏声;
中国计量大学材料科学与工程学院;
杭州310018;
垂直布里奇曼法; SrI2∶Eu∶Cs; 衰减时间; 能量分辨率; 闪烁晶体;
机译:Na和K共掺杂对Eu:SrI2晶体生长和闪烁特性的影响
机译:两英寸直径SRI2(EU)单晶的生长和闪烁性能
机译:CsCaB_r3:Eu〜(2 +)(CsCa_(1_x)Eu_xBr_3,0≤x≤0.08)的晶体生长和闪烁特性
机译:杂质Cs +,Mg2 +,Fe2 +和Sn2 +对SrI2(Eu)闪烁性能的影响
机译:砷化铝镓-砷化镓镓晶体生长,埋入式隧道接触激光器,晶片键合以及基于砷化镓铝氧化物的VCSEL。
机译:X射线成像中具有不同微柱形状和阵列结构的像素化CsI(Tl)闪烁屏幕的模拟性能
机译:SRI2的生长和闪烁性能:EU活化剂浓度低
机译:未掺杂和铕掺杂的srI2闪烁探测器的特性。
机译:掺EU的SRI2单晶,辐射探测器和制备掺EU的SRI2单晶的方法
机译:Eu掺杂SrI2单晶和辐射探测器
机译:闪烁纤维束的光屏蔽性能测试装置,辐射剂量的深度测量装置和闪烁纤维束的屏蔽性能测试方法
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