热蒸发多孔Si/SiO2薄膜的光致发光特性研究

摘要

本工作采用热蒸发法制备了多孔 Si/SiO2薄膜,利用拉曼、红外、XRD研究了薄膜的结构,SEM研究了表面形貌,使用光致发光(PL)谱对其发光特性进行了研究.结果表明,激发波长为 325 nm(2.88 eV)时,样品的峰位分别在 430 nm(2.88 eV)、441 nm(2.81 eV)、523 nm(2.47 eV)、554 nm(2.24 eV),激发波长为488 nm时,峰位在570 nm(2.18 eV),采用施主态Si悬挂键≡Si0位于 2.81 eV,受主态 Si悬挂键≡Si-位于 3.00 eV处,引入SiOx(x 小于2)和Si-O-Si缺陷态能级,能级分别为5.05 eV和0.63 eV,建立了 Si/SiO2薄膜的能隙态(EGS)模型,并讨论了其发光机制.