新型三维存储材料及应用

摘要

通过实施双掺杂工程,既控制光折变晶体中的光折变敏感中心(即施主中心),又控制其中的电子陷阱中心,优化双掺LN晶体的光折变存储特性,得到了优良的光存储材料,同时,利用光折变全息记录以及全光固定光栅技术,研制成三维全息存储器原型。具体研究成果如下: (1)首次在国际上发现光强阈值效应,打破了国际上传统的“与光强无关”的概念,同时,首次提出最佳写入光强的概念;首次发现高掺镁晶体的紫外光折变增强效应,打破了国际上的“掺镁抗光折变”的概念的绝对化;