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黄建坡; 贾建峰; 刘永涛; 胡行;
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州450052;
Bi4Ti3O12薄膜Sol—gel法铁电性能;
机译:Ag掺杂对Sol-Gel制备高相对Ag浓度(2.5%,5%10%和15%)的SOL-GEL技术制备的CdO薄膜的结构和电性能的研究
机译:Bi2O3,TiO2和Bi4Ti3O12籽晶层对通过Sol-Gel法生长的Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜的结构和电性能的影响
机译:Sol-Gel合成SrBi2Ta2O9 / Bi4Ti3O12 / P-Si多层薄膜及其铁电性能
机译:Sol-Gel法合成纳米TiO2薄膜的性能研究
机译:退火温度对Sol-Gel ZnO薄膜力学性能的影响。
机译:简单Sol-Gel法在SrTiO3(111)衬底上正交生长GaFeO3薄膜的外延生长
机译:照片–有机供体的物理研究–无机受体界面和Sol–Gel法制备ZnO薄膜
机译:sOL-GEL研究第一部分。铀 - 溶胶,聚集体和球体的制备
机译:SOL-GEL在空心光纤维和由此形成的SOL-GEL纤维设备中形成掺杂的SOL-GEL MONOLITHS的方法
机译:由其制备的具有空隙的聚酰亚胺化的Sol-Gel前体Sol-Gel单体和引入了空隙的有机-无机复合绝缘低介电材料
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